2020-03-17
2020-03-09
ガウストンネル接合技術のおかげで、我々は、太陽電池アプリケーションのためにガウス上に成長させたエピタキシャル層(アルガス、インゴット)の異なる構造を有するシングルジャンクションおよびデュアルジャンクションインパクト/ガーア太陽電池のエピウェーハを提供する。インナップトンネル接合部を有するウェーハ構造体は、
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アルファコーティングmgf 2 / zns |
au |
濡れた接触 |
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au-ge / ni / au |
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n + ガスタンク0.3μm |
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┏ |
n + -alinp0.03μm\u003c2×10 18 cm -3 (si) |
窓 |
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食べる |
n + - 隙間0.05μm2.0×10 18 cm -3 (si) |
n |
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(例えば、1.88ev) |
p + - ギャップ0.55μm1.5×10 17 cm -3 (zn) |
p |
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トップセル |
p + - 隙間0.03μm2.0×10 18 cm -3 (zn) |
p + |
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┗ |
p + -alinp0.03μm \u003c 5×10 17 cm -3 (zn) |
bsf、diff.barrier |
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トンネル |
p + - 隙間0.015μm8.0×10 18 cm -3 (zn) |
tn(p + ) |
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ジャンクション |
n + - 隙間0.015μm1.0×10 19 cm -3 (si) |
tn(n + ) |
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┏ |
n + -alinp0.05μm1.0×10 19 cm -3 (si) |
ウィンドウ、diff.barrier |
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ガウス(例えば、1.43eV)ボトムセル |
n + -gaas0.1μm2.0×10 18 cm -3 (si) |
n |
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p-galas3.0μm1.0×10 17 cm -3 (zn) |
p |
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┗ |
p + - インギャップ0.1μm2.0×10 18 cm -3 (zn) |
bsf |
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p + ガスタンク0.3μm7.0×10 18 cm -3 (zn) |
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p + ガスタ基板 \u003c 1.0×10 19 cm -3 (zn) |
基板 |
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au |
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バックコンタクト |
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注:LED、レーザー、マルチジャンクション太陽電池はすべて性能を向上させるためにトンネル接合を使用することができます。この接合部の影響を計算するのは難しいですが、チップの特性を正確にシミュレートし、構造の設計をコスト効率よく最適化する方法があります。
ソース:semiconductorwafers.net
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください: http://www.semiconductorwafers.net、
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