2020-03-17
2020-03-09
抽象
軽くドープされたチョクラルスキー（cz）シリコンウェハにおけるフローパターン欠陥（fpds）の描写には、従来、セコエッチャントが用いられている。しかし、高濃度にドープされたp型シリコンウェハのfpdsは、セコエッチャントによって十分に描写することができない。ここでは、cro3の濃度が0.25~0.35mである、v（cro3）：v（hf）= 2：3の最適化された体積比を有するcro3xhfhh2o系に基づくエッチャントが描写のために開発されている多量のホウ素（b）ドープp型シリコンウェーハのための明確な形態を有するfpdsの製造を可能にする。
キーワード：高濃度にドープされたp型シリコン、フローパターンの欠陥、輪郭、優先エッチング
ソース：sciencedirect
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