レーザ干渉リソグラフィを用いて、srtio3単結晶基板上のsrruo3下部電極の全領域（10mm×10mm）上に、秩序だったpb（zr0.2x0.8）o3ナノディスクおよびナノ構造のウェハスケールアレイを作製した（lil）プロセスとパルスレーザ堆積を組み合わせたものである。ナノ構造の形状およびサイズは、パターン化された穴を通して堆積されたpztの量および結晶化後工程の温度によって制御された。 X線回折および透過型電子顕微鏡法により、（001）配向単結晶基板を覆うsrruo3（001）下部電極層上に（001）配向pztナノ構造がエピタキシャル成長することが確認された。 pztナノ島のドメイン構造は、シンクロトロンX線放射を用いた相互空間マッピングによって特徴付けられた。各圧電ナノ構造の強誘電特性は、圧電応答モードでの走査型力顕微鏡によって特徴付けられた。
ソース：iopscience
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