2001年に量産を開始した、サイズ3の新しいアベイラビリティを発表したシャーマン・パワーウェイアドバンスドマテリアルズ・カンパニー・リミテッドは、ガスベースのレーザ・ウェーハの成長およびその他の関連製品およびサービスのエピサービスのリーディング・サプライヤです。この新製品は、に加えて パム・シャーマン の製品ライン。ドクター。 \"光ファイバ通信の基本的な能動素子（レーザ光源）の高性能化と高信頼性を兼ね備えた多くのお客様に、量子井戸レーザ構造を提供することを嬉しく思っております。ガリウムヒ素およびインジウム・リン・ウェーハ上の量子井戸レーザ・ベース、量子井戸を利用するレーザおよび離散電子モードは、両方の技術によって製造され、紫外から定常までの様々な波長で生成される。量子井戸レーザは、低い閾値電流密度、優れた温度特性、高い変調速度、および高い量子効率のような多くの利点によって大きな注目を集めている。可用性がブール成長とウェーハプロセスを改善します」と述べています。 「当社の顧客は、正方形の基板上に高度なトランジスタを開発する際に期待されるデバイス歩留まりの恩恵を受けることができます.Gaasベースのレーザーウェーハの成長のためのエピサービスは、当社の継続的な努力の製品によって自然であり、現在、製品。
パム・シャーマン 改良されたガスベースのレーザーウェーハ製品ラインは、強力な技術、ネイティブの大学と研究所センターのサポートの恩恵を受けています。
次の例を示します。
808nmイングサス/ InPレーザ構造
|
層 |
材料 |
バツ |
y系統 耐性 |
pl |
厚さ |
タイプ |
レベル |
|
|
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
（ppm） |
（nm） |
（um） |
＆emsp; |
（cm -3） |
|
8 |
ガウス |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
0.1 |
p |
＆gt; 2.00e19 |
|
7 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.05 |
p |
＆emsp; |
|
6 |
[（y）pの中の[al（x）ga] |
0.3 |
0.49 |
+/- 500r |
＆emsp; |
1 |
p |
＆emsp; |
|
5 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.5 |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
4 |
ガース（x）p |
0.86 |
＆emsp; |
+/- 500 |
798 |
0.013 |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
3 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.5 |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
2 |
[（y）pの中の[al（x）ga] |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
＆emsp; |
1 |
n |
＆emsp; |
|
1 |
ガウス |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
0.5 |
n |
＆emsp; |
|
|
ガウス基板 |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
n |
＆emsp; |
厦門電力会社先進材料有限会社について
1990年に発見され、厦門のパワーウェイアドバンスドマテリアル株式会社、株式会社 パム・シャーマン ）は、中国の化合物半導体材料の大手メーカーです。 pam-xiamenは、高度な結晶成長とエピタキシー技術、製造プロセス、設計された基板、半導体デバイスを開発しています。 pam-xiamenの技術は、半導体ウェハの高性能化と低コスト化を可能にします。
量子井戸レーザ構造について
量子井戸レーザは、デバイスの活性領域が非常に狭く、量子閉じ込めが生じるレーザダイオードである。レーザダイオードは、（シリコンとは全く異なり）効率的に光を放射することができる化合物半導体材料内に形成される。量子井戸レーザによって放出される光の波長は、それが構成されている材料のバンドギャップだけではなく、活性領域の幅によって決定される[1]これは、量子井戸レーザから、特定の半導体材料を使用する従来のレーザダイオードよりもずっと長い波長を得ることができることを意味する。量子井戸レーザの効率は、その状態密度関数の段階的な形態のために、従来のレーザダイオードよりも大きい。
q＆a
c：780nmおよび808nmの波長範囲のGaAsベースのエピタキシャルレーザーウェーハのサプライヤーを探しています。適切な基板の寸法は2インチまたは3インチ（推奨）です。あなたの会社がそのようなレーザーウェーハの製造に専門知識を持っているかどうか教えてください。はいの場合は、私たちの検討のために一般的なデザインを提供できるかどうかをお知らせください。
p：あなたのお問い合わせありがとうございます、私たちは提供することができます、あなたは構造を提供できますか？
c：あなたのフィードバックに感謝します。 780nmおよび808nmデザインが添付されています。設計が問題ないかどうか教えてください。また、材料の品質がレーザーグレードであることを確認するために、あなたの側からどのようなテストを実施するのかも教えてください。
780nmレーザ構造
|
層 |
材料 |
バツ |
y系統 耐性 |
pl |
厚さ |
タイプ |
レベル |
|
|
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
（ppm） |
（nm） |
（um） |
＆emsp; |
（cm -3） |
|
8 |
ガウス |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
0.1 |
p |
＆gt; 2.00e19 |
|
7 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.05 |
p |
＆emsp; |
|
6 |
[（y）pの中の[al（x）ga] |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
＆emsp; |
1 |
p |
＆emsp; |
|
5 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.5 |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
4 |
ガース（x）p |
0.77 |
＆emsp; |
＆emsp; |
770 |
＆emsp; |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
3 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.5 |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
2 |
[（y）pの中の[al（x）ga] |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
＆emsp; |
1 |
n |
＆emsp; |
|
1 |
ガウス |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
0.5 |
n |
＆emsp; |
|
|
ガウス基板 |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
n |
＆emsp; |
808nmレーザー構造
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層 |
材料 |
バツ |
y系統 耐性 |
pl |
厚さ |
タイプ |
レベル |
|
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＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
（ppm） |
（nm） |
（um） |
＆emsp; |
（cm -3） |
|
8 |
ガウス |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
0.1 |
p |
＆gt; 2.00e19 |
|
7 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.05 |
p |
＆emsp; |
|
6 |
[（y）pの中の[al（x）ga] |
0.3 |
0.49 |
+/- 500r |
＆emsp; |
1 |
p |
＆emsp; |
|
5 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.5 |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
4 |
ガース（x）p |
0.86 |
＆emsp; |
+/- 500 |
798 |
0.013 |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
3 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.5 |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
2 |
[（y）pの中の[al（x）ga] |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
＆emsp; |
1 |
n |
＆emsp; |
|
1 |
ガウス |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
0.5 |
n |
＆emsp; |
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ガウス基板 |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
n |
＆emsp; |
c：algainpのmqwとxrdのplのテストレポートを提供することができます。
キーワード：量子井戸レーザ、自由、レーザ構造、mqwレーザ、
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