ザ SiCおよびGaNパワー半導体市場の開発

SiC技術と市場の現状、そして 今後数年間の開発動向

SiCデバイス市場は有望です。ショットキーバリアの販売 ダイオードは成熟し、MOSFET出荷は大幅に増加すると予想されている 今後3年間でYoleDéveloppementのアナリストによると、SiCは ダイオードに関しては非常に成熟しており、GaNはSiC MOSFETにはまったくチャレンジしていません 1.2kV以上の電圧で動作します。 GaNは650VのSiC MOSFETと競合する可能性があります SiCはより成熟しています。 SiCの販売は急速に伸び、 SiCはシリコンパワーデバイス市場から市場シェアを獲得し、 今後数年間に化合物の成長率は28％に達すると予測している。

IHS Markitは、SiC産業が ハイブリッドやハイブリッドなどのアプリケーションの成長に 電気自動車、パワーエレクトロニクス、および光電池インバータ。 SiCパワー デバイスは主にパワーダイオードとトランジスタ（トランジスタ、スイッチング トランジスタ）。 SiCパワーデバイスは、電力、温度、周波数、 放射線耐性、電力エレクトロニクスシステムの効率および信頼性、 サイズ、重量およびコストの大幅な削減をもたらす。浸透 SiC市場では、特に中国では、ショットキーダイオード、 MOSFET、接合ゲート電界効果トランジスタ（JFET）および他のSiCディスクリート 大量生産された車載DC-DCコンバータ、自動車 バッテリーチャージャー。

いくつかの用途では、GaNデバイスまたはGaNシステム 集積回路がSiCデバイスの競合相手になる可能性があります。第1のGaN 自動車のAEC-Q101仕様に準拠したトランジスタが発表されました。 Transphormで2017年に製造されました。さらに、 GaN-on-Si エピタキシャルウェーハ 比較的低コストで製造が容易である の上のどの製品よりも SiC ウェーハ 。これらの理由から、GaN 2020年代後半にはトランジスタがインバータの第一の選択肢となり、 より高価なSiC MOSFETよりも優れています。 GaN系集積回路 シリコン・ゲート・ドライバICまたはモノリシックと一緒にパッケージするGaNトランジスタ 完全なGaN IC。携帯電話向けのパフォーマンスが最適化されると、 ノートブック充電器などの大容量アプリケーションでは、幅広く使用される可能性があります より広い範囲で利用可能である。市販のGaNパワーの現在の開発 大きな利点を提供しないため、ダイオードは実際には始まっていません Siデバイスに比べて非常に高く、実現するには高価すぎる。 SiCショットキー ダイオードはこれらの目的のためによく使用され、良好な価格設定ロードマップを有する。

このラインの製造分野では、 選手はこれらの2つの資料を提供しますが、Xiamen Powerway Advanced Materials 有限公司（PAM-XIAMEN）は、GaNとSiC材料を合わせて生産しています。 SiC基板とエピタキシャル、GaN基板、GaN HEMTエピウエハ シリコン/ SiC /サファイア、および青色または緑色のMQWを有するGaN系材料 排出

IHS Markitは次のように期待しています.2020年までに、SiCとGaNの電力 ハイブリッド車の需要に牽引され、10億ドル近くになる 電気自動車、パワーエレクトロニクス、および光電池インバータ。その中で、 主駆動系におけるSiCおよびGaNパワー半導体の応用 ハイブリッド車と電気自動車のインバータは、複合年次成長 2017年以降は35％以上、2027年には100億米ドルを上回っています。 2020年にGaN-on-SiトランジスタはSi MOSFETと同じレベルで価格設定され、 IGBTと同等の性能を発揮します。このベンチマークが完了すると GaN市場は2024年に6億ドルに達し、 2027年に17億ドル以上に上昇する。

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