pam-xiamenは、高品質のガリウムアンチモン（ガス）単結晶インゴットを成長させます。

我々はラウンド、切断、ラップ、研磨ガスボンベを有し、エピレディ表面品質を供給することができる。

ガスバブ結晶は、6n純粋なgaおよびsb元素によって形成された化合物であり、epd＆lt; 0の液体封入チョクラルスキー（lec） 1000cm -3。ガスベブ結晶は、mbeまたはmocvdエピタキシャル成長に適した、電気的パラメータの高い均一性および低い欠陥密度を有する。

厳密またはオフの配向、低または高ドープ濃度および良好な表面仕上げで幅広い選択肢を有する「エピ準備完了」ガス製品があります。製品の詳細についてはお問い合わせください。

ガスボンベ（アンチモン化ガリウム）ウエハ

pam-xiamenは、高品質のガリウムアンチモン（ガス）単結晶インゴットを成長させます。

我々はラウンド、切断、ラップ、研磨ガスボンベを有し、エピレディ表面品質を供給することができる。

ガスバブ結晶は、6n純粋なgaおよびsb元素によって形成された化合物であり、epd＆lt; 0の液体封入チョクラルスキー（lec） 1000cm -3。ガスベブ結晶は、mbeまたはmocvdエピタキシャル成長に適した、電気的パラメータの高い均一性および低い欠陥密度を有する。

厳密またはオフの配向、低または高ドープ濃度および良好な表面仕上げで幅広い選択肢を有する「エピ準備完了」ガス製品があります。より多くの製品情報をお問い合わせください 。

1）2 \"、3\"ガスボンベ

配向：（100）±0.5°

厚さ（μm）：500±25; 600±25

タイプ/ドーパント：p / undoped; p / si; p / zn

nc（cm-3）:( 1〜2）e17

移動度（cm 2 / v・s）：600〜700

成長法：cz

ポリッシュ：ssp

2）2 \"ガスブウェハ

配向：（100）±0.5°

厚さ（μm）：500±25; 600±25

タイプ/ドーパント：n /アンドープ; p / te

nc（cm-3）:( 1~5）e17

移動度（cm 2 / vs）：2500〜3500

成長方法：lec

ポリッシュ：ssp

3）2 \"ガスブウェハ

配向：（111）a±0.5°

厚さ（μm）：500±25

タイプ/ドーパント：n / te; p / zn

nc（cm-3）:( 1~5）e17

移動度（cm 2 / vs）：2500~3500; 200~500

成長方法：lec

ポリッシュ：ssp

4）2 \"ガスボンベ

配向：（111）b±0.5°

厚さ（μm）：500±25; 450±25

タイプ/ドーパント：n / te; p / zn

nc（cm-3）:( 1~5）e17

移動度（cm 2 / vs）：2500~3500; 200~500

成長方法：lec

ポリッシュ：ssp

5）2 \"ガスボンベ

配向：（111）b 2deg.off

厚さ（μm）：500±25

タイプ/ドーパント：n / te; p / zn

nc（cm-3）:( 1~5）e17

移動度（cm 2 / vs）：2500~3500; 200~500

成長方法：lec

ポリッシュ：ssp

相対的な製品：

inasウェハ

インベストウェーハ

inpウェハ

ガウスウェーハ

ガスウエハー

ギャップウェーハ

ガリウムアンチモン（ガリウム）は、切断された、エッチングされた、または研磨された仕上げのウエハとして供給することができ、キャリア濃度、直径および厚さの広い範囲で利用可能である。

gasb材料は、単一接合型熱光発電（tpv）デバイスにとって興味深い特性を示す。 czochralski（cz）法またはmodified czo- chralski（mo-cz）法で成長させたgasb：te単結晶を提示し、te均質性の問題について論じた。キャリアの移動度がバルク結晶のキーポイントの1つであるので、ホール測定が行われる。バルク結晶の成長、ウェーハの準備、ウェーハのエッチングなど、材料処理の観点からいくつかの相補的な開発をここに示します。これらの後の後続のステップは、p / no r n / p接合の精緻化に関連する。様々な薄層の精緻化手法について得られたいくつかの結果が提示される。単純な気相拡散法または液相エピタキシー法から金属有機化学気相成長法まで、我々はいくつかの物質特異性を報告する。

あなたがinsbウェーハでより興味深い場合は、私たちに電子メールを送ってください。 sales@powerwaywafer.com 私たちのウェブサイトにアクセスしてください： www.powerwaywafer.com 。