厦門のパワーウェイ先進材料有限公司は、株式会社のリーディングサプライヤ 藻類 s レイヤーおよびその他の関連製品およびサービスは、2017年に大量生産されているサイズ2 \"-3\"の新しいアベイラビリティを発表しました。この新製品は、pam-xiamenの製品ラインに自然に追加されたものです。

ドクター。シャカは言った、 \"我々は提供することを喜んでいる アルガース （700 nm〜1100 nm）ダブルヘテロ構造レーザーダイオードのためにより優れた信頼性の高い開発者をはじめ、多くのお客様を対象に、我々の アルガース 層は優れた特性を有し、ガウスベースのヘテロ構造デバイスのバリア材料として使用される。その アルガース 層は電子をヒ化ガリウム領域に閉じ込める。そのようなデバイスの例は、量子井戸赤外線光検出器（qwip）である。 「ブールの成長とウェーハプロセスを改善してくれます」と述べています。我々の アルガース 私たちは継続的な努力の成果によって、現在より信頼性の高い製品を継続的に開発するよう努めています。

パム・シャーマンの改善 アルガース 製品ラインは強力な技術の恩恵を受けています。ネイティブの大学と研究室のセンターからのサポート。

次の例を示します。

3 \"algaas / gaas / algaas on gaas基板

各エピ層の厚さ1μm

ガウス層10 ^ 17-10 ^ 18 / cm3のドーパント密度

al_xga_1-xas化学量論量x〜0.3

厦門電力会社先進材料有限会社について

xiamen powerway advanced material co。、ltd（pam-xiamen）は、1990年に発見され、中国の化合物半導体材料の大手メーカーです。 pam-xiamenは、高度な結晶成長とエピタキシー技術、製造プロセス、設計された基板、半導体デバイスを開発しています。 pam-xiamenの技術は、半導体ウェハの高性能化と低コスト化を可能にします。

約 アルガース

ヒ化アルミニウムガリウム（ヒ化ガリウムアルミニウム）（alxga1-xas）は、ガウスとほぼ同じ格子定数を有するが、より大きなバンドギャップを有する半導体材料である。上記の式のxは0と1の間の数字です - これはガウスとアラスの間の任意の合金を示します。数式algaは、特定の比率ではなく、上記の略式と見なされるべきです。バンドギャップは1.42eV（gaas）から2.16eV（alas）の間で変動する。 x \u003c 0.4であり、バンドギャップは直接的である。屈折率は、kramers-kronig関係を介してバンドギャップと関連し、2.9（x = 1）と3.5（x = 0）の間で変化する。これにより、vcselsおよびrcledsで使用されるブラッグミラーの構築が可能になります。

q＆a

q：私は、トップ2インチと3インチのウェーハ上に成長した藻類/ガーゼ/藻類のカスタムエピ層スタックを備えたガウスウェーハを探しており、各エピ層は1ミクロンの厚さを有し、ガウス層とバリア層の両方について17-10 ^ 18 / cm3、

al_xga_1-xas化学量論値x〜0.3

a：はい、供給可能です

q：あなたが私たちに与えた見積もりは、2μm厚のal_0.7 ga_0.3層を上にして、上に220nm層のガウスを重ねたものです.3μm厚のal_0.7 ga_0上に250nmのga層を購入することに興味があります。 3として層。 あなたはそのようなウェーハを製造できるでしょうか？

a：はい、上記の両方のウェーハを供給できます。

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、

私達にメールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.com 。