レーザーダイオードエピタキシャル構造およびその他の関連製品およびサービスの大手サプライヤーである厦門電力会社アドバンストマテリアル社は、サイズ3の新しいアベイラビリティを2017年に量産中であると発表しました。この新製品は、 パム・シャーマン の製品ライン。

ドクター。 \"レーザーダイオードのエピタキシャル構造は、優れた特性、低吸収損失と高出力シングルモードのための調整されたドーピングプロファイルを持っています\"と、 \"我々は、レーザーダイオードエピタキシャル構造を提供することを嬉しく思っています。 100％内部量子効率のための最適化された活性領域、高出力動作のための特別な広帯域導波路（bwg）設計、および/または効果的なファイバ結合のための低放出ダイバージェンスなどがあります。 「当社の顧客は、四角い基板上に高度なトランジスタを開発する際に期待されるデバイス歩留まりの恩恵を受けることができる。レーザダイオードのエピタキシャル構造は、現在も継続して行われている製品によって自然であり、より信頼性の高い製品を継続的に開発する。

パム・シャーマン レーザーダイオードのエピタキシャル構造の改良製品ラインは、強力な技術、ネイティブの大学と研究室のサポートから恩恵を受けています。

次の例を示します。

808nm

905nm

厦門電力会社先進材料有限会社について

xiamen powerway advanced material co。、ltd（pam-xiamen）は、1990年に発見され、中国の化合物半導体材料の大手メーカーです。 pam-xiamenは、高度な結晶成長とエピタキシー技術、製造プロセス、設計された基板、半導体デバイスを開発しています。 pam-xiamenの技術は、半導体ウェハの高性能化と低コスト化を可能にします。

レーザーダイオードエピタキシャル構造について

レーザダイオードエピタキシャル構造は、通常nドープされた基板から出発し、iドープされた活性層、pドープクラッド、およびコンタクト層を成長させる結晶成長技術の1つを用いて成長される。活性層は、多くの場合、より低い閾値電流とより高い効率を提供する量子井戸からなる。

q＆a

c：あなたのメッセージと情報に感謝します。

それは私たちにとって非常に面白いです。

レーザーダイオード3インチエピタキシャル構造808nmのために：10。

あなたは私たちに808nmの層の厚さとドーピング情報を送ることができますか？

仕様：

808nm発光用の一般的な3 \"レーザーエピタキシャル構造

i.gas量子井戸層：799 +/- 5nm

私たちはピーク発光pl：794 +/- 3 nmを必要とします、あなたはそれを製造できますか？

ii.pl波長均一性：≦5nm

iii。欠陥密度：\u003c50cm -2

iv。ドーピングレベル均一性：≦20％

v。ドーピングレベル公差：≦30％

vi。モル分率（x）公差：+/- 0.03

vii。層の厚さの均一性：≦6％

viii。厚さの公差：+/- 10％

ix.n + gaas基板

xstrate epd＆lt; 1e3cm -2

xiストレートキャリアc：0.5~4.0xe18cm-2

xii.majorフラットオリエンテーション：（01-1）±0.05°

私たちは、980および1550nmのエピウエハの提案も必要です。下の（あなたのWebサイトで）inp基板上のingaasp / ingaas

InP基板上にInaaasp / ingaas epiを以下のように提供します。

1.構造：レーザー1.55um

あなたの標準的なパイウェーハ用に製造されたLDのldパラメータについてもお知らせできますか？

発光面積幅= 90-100umのシングルエミッタで、cwでのldのp出力はどれくらいですか？

たとえば、発光面積の幅が10mmのldバーの場合はpoutですか？

上記の質問へのあなたの早い返信を楽しみにしています。

p：下記をご覧ください：

808nm

905nm

c：レーザー波長808nmのエピウェハに興味があります。

評価目的と調整のための評価サンプルをお送りください

我々のアプリケーションはdpssレーザーであり、我々は

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詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、

私たちに電子メールを送る angel.ye@powerwaywafer.comで または powerwaymaterial@gmail.com