2020-03-17
2020-03-09
サファイア基板 (GeOS) 上に単結晶 Ge 薄膜を作製し、特性評価することに成功しました。このような GeOS テンプレートは、デバイスの動作に薄い (<2 μm) Ge 層のみが必要なアプリケーション向けに、バルク ゲルマニウム基板に代わる費用対効果の高い代替手段を提供します。GeOS テンプレートは、Smart CutTM 技術を使用して実現されています。直径 100 mm のGeOS テンプレートが製造され、Ge 薄膜を比較するために特徴付けられています。バルクGeを持つプロパティ。表面欠陥検査、SEM、AFM、欠陥エッチング、XRD、およびラマン分光法がすべて実行されました。使用された各特性評価手法で得られた結果は、転写された薄い Ge フィルムの材料特性がバルク Ge リファレンスの材料特性に非常に近いことを強調しています。エピタキシャル AlGaInP/GaInP/AlGaInP ダブル ヘテロ構造を GeOS テンプレート上に成長させ、典型的なデバイスの実現で遭遇する条件下でのテンプレートの安定性を実証しました。このエピタキシャル構造のフォトルミネッセンス挙動は、バルク Ge 基板上に成長した同様の構造のそれとほぼ同じでした。したがって、GeOS テンプレートは、動作が薄膜構造と互換性のあるデバイスの製造において、バルク Ge 基板の実行可能な代替手段を提供します。
出典:IOPサイエンス
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