-
cz単結晶シリコン
cz-シリコン 重く/軽くドープされたcz単結晶シリコンは、様々な集積回路（IC）、ダイオード、三極、緑色エネルギー太陽電池パネルの製造に適している。特別な構成要素のための高効率、耐放射線性および反変性太陽電池材料を製造するために特別な要素（例えば、ga、ge）を加えることができる。ホットタグ : シリコンウェハー価格 ウェーハチップ ソイウェーハ 販売用シリコンウェーハ ウェーハ価格
-
エピタキシャルシリコンウェーハ
シリコンエピタキシャルウェーハ（エピウェーハ）は、単結晶シリコンウェーハ上に堆積された単結晶シリコンの層である（注：高度にドープされた単結晶シリコンウェーハの上に多結晶シリコン層の層を成長させることができるが、バルクSi基板と上部エピタキシャル層との間のバッファ層（例えば、酸化物またはポリSi）ホットタグ : エピシリコンウエハ エピタキシャルシリコンウェーハ エピタキシャルウェーハ製造業者 エピウェーハメーカー シリコンオンインシュレータ
-
研磨されたウエハー
主にシリコン整流器（sr）、シリコン制御整流器（scr）、巨大トランジスタ（gtr）、サイリスタ（gro）ホットタグ : 研磨されたウエハー 研磨されたシリコンウェーハ ウェーハ mems技術 ウェーハエレクトロニクス シリコン材料
-
ウェーハをエッチングする
エッチングウェーハは粗さが小さく、光沢が良く、コストが比較的安いという特性を有し、研磨されたウェーハやエピタキシャルウェーハを比較的高価なものに直接置き換えて、一部の分野で電子素子を製造してコストを削減する。低ラフネス、低反射率、高反射率のエッチング・ウェーハがあります。ホットタグ : ウェーハをエッチングする シリコンウェハをエッチングする mems プラズマエッチング エッチングプロセス Pecvd
-
inpウェハ
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（（111）または（111）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）またはvgf 100）。ホットタグ : inpウェハ inp基板 インジウム・リン・ウェーハ リン化インジウム基板 inpウエハー価格 インジウムリン
-
インベストウェーハ
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性を有するepi-readyまたは機械的グレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたインビボウェーハ - インジウムアンチモンを提供する。ホットタグ : インベストウェーハ インプリント基板 インジウムアンチモン化物ウエハー アンチモン化インジウム基板 インジウムアンチモン特性 インベストウェーハ価格
-
inasウェハ
xiamen powerwayは、エピタキシャルまたはメカニカルグレードのn型、p型または半絶縁性の異なる（111）または（100）のlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたヒ化インジウム - インジウムを提供しています。ホットタグ : inasウェハ inas基板 インジウム・ヒ素・ウェーハ インジウム砒素基板 インジウム砒素半導体 インジウム砒素構造
連絡先
+86-592-5601 404