2020-03-17
2020-03-09
lt-gaasにおけるthz生成プロセス
光学的ダウンコンバージョンは、低温成長ガウスを用いたthz生成のための最も成功した商業的技術である（ lt-gaas ）。この技術はしばしばテラヘルツ時間領域分光法（thz-tds）として知られている。この技術は、光伝導スイッチの光パルス励起によって機能する。ここでは、フェムト秒レーザパルスは、（1つまたは複数の）電極上に印刷された2つの電極 半導体基板 図1を参照されたい。レーザーパルスは、電極間に印加されたバイアスによって加速される電子および正孔を生成し、この一時的な光電流は、アンテナに結合され、パルス持続時間を反映する周波数成分を含み、 。 thz-tds設定では、光伝導スイッチのエミッタと同一の受信装置を用いてTHz放射が検出され、同じ光パルスによってゲート制御される。
図1のために、以下をクリックしてください：
lt-gaasを使用する主な理由は、この材料の超高速光伝導用途への魅力的な特性です。 lta-gaasは、短キャリア寿命（\u003c200fs）、高抵抗率、高電子移動度および高破壊電界を含む物理的性質の独特の組み合わせを有する。 ガウスの低温成長 （190-350℃）は、過剰のヒ素が点欠陥として取り込まれることを可能にする：ヒ素虫歯（欠陥の大部分を占める）、ヒ素の間隙およびガリウム空孔。深いドナーとして作用するイオン化したアンチサイト欠陥であり、約0.7evは伝導帯を蛇行し、電子を伝導帯から中間ギャップ状態（0.7ev）に速く捕捉する。砒素の欠陥による電子のこの速いトラップのために、as-grown lt-gaaはキャリア寿命が90fsと短くてもよい。これは電子正孔の再結合を促進して電子寿命の実質的な減少をもたらし、したがって、この電子ガスの生成に適したものとなる。図2については、以下をクリックする。
サミール・リハニからのニュース
注：パワーウェーハは、2 \"から4\"までの大きさのltgaを提供することができ、エピ層は3μmまで、微小欠陥密度は\u003c5 / cm2、キャリア寿命は\u003c0.5ps
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