蓄積と開発の20年以上後、当社は技術革新と人材プールで明白な利点を持っています。将来的には、顧客により良い製品とサービスを提供するための実際の行動のペースをスピードアップする必要があります
ドクターチャン -厦門汽車有限公司の最高経営責任者（CEO）
pam-xiamenのテンプレート製品は、サファイア基板上に堆積された窒化ガリウム（gan）、窒化アルミニウム（aln）、窒化アルミニウムガリウム（algan）および窒化インジウムガリウム（ingan） シリコンカーバイドまたはシリコン・パーム・シャイアのテンプレート製品は、コスト、歩留まり、および性能においてデバイスを改善することができる、より良好な構造品質およびより高い熱伝導率を有する20〜50％短いエピタキシサイクル時間およびより高品質のエピタキシャルデバイス層を可能にする。11
pam-xiamenは、uhb-ledとldのためのフリースタンディング（窒化ガリウム）基板ウェーハ用の製造技術を確立しました。水素化物気相エピタキシー（hvpe）技術によって成長させると、我々のgan基板は欠陥密度が低い。
pwamは、化合物半導体基板 - ガリウム砒素結晶とウェーハを開発し、製造しています。我々は高度な結晶成長技術、垂直グラジエントフリーズ（vgf）およびガーウェーハ処理技術を使用し、結晶成長、切断、研磨から研磨加工、ウェハ洗浄およびパッケージング用の100クラスクリーンルーム。当社のガース・ウェーハには、LED、LD、マイクロエレクトロニクス・アプリケーション用の2〜6インチ・インゴット/ウェーハが含まれています。現在、サブステートの品質を向上させ、大型基板を開発することに専念しています。11
pam-xiamenのガリウム（窒化ガリウム）ベースのエピタキシャルウェーハは、超高輝度青色および緑色発光ダイオード（led）およびレーザダイオード（ld）アプリケーション向けです。
窒化ガリウム（GaN）半田（高電子移動度トランジスタ）は、次世代のRFパワートランジスタ技術であり、ガン技術には感謝している。パム - シャーマンはサファイアまたはシリコン上にalgan / gan hemtエピウェハを、サファイアテンプレート上にはalgan / 。
お問い合わせからアフターサービスまで、無料の技術サービスをご利用いただけます。 25以上の経験 半導体のラインで。
私たちの目標はあなたのすべての要件を満たすことです、 どんなに小さな注文でも そして どのように難しい質問 資格を持つ製品と満足のいくサービスを通じて、あらゆる顧客の持続的で収益性の高い成長を維持することができます。11
より多くの 25歳以上 経験 化合物半導体材料分野および輸出業務において、私たちのチームはお客様の要件を理解し、プロフェッショナルなプロジェクトに対処できることを保証することができます。
品質が最優先です。パム・シャーマンはされている iso9001：2008 顧客のさまざまなニーズに対応するためのかなりの範囲の認定製品を提供することができる4つの現代的な工場を所有し、共有しており、すべての注文は厳格な品質システムによって処理されなければなりません。 テストレポートは出荷ごとに提供され、各ウェーハは保証されています。11
Poly -Si 結晶は、低コストであるため、主に太陽電池に使用されます。ここでは、太陽光の波長に対する感度のゾーンを拡大して、太陽電池のエンジニアリング効率を高める必要があります. IV 族化合物半導体膜、例えば、C、Ge (C, Si)、および/または数 % の含有量の Sn 原子でドープされた Si (Ge) 膜が、Si または Ge 基板上にあることが、この技術に対する潜在的な解決策として特定されています。問題。本研究では、密度汎関数法を用いてSi中のC、Ge、Sn原子の各原子配置の生成エネルギーを計算した。神山らが提唱した「箱庭」法。[Materials Science in Semiconductor Processing, 43, 209 (2016)] は、C、Ge、および/または Sn の最大 3 つの原子 (最大 4.56%) を含む Si の 64 原子スーパーセルに適用され、比率を取得しました。各原子配置のSiバンドギャップの平均値。従来の一般化勾配近似 (GGA) だけでなく、スクリーニング交換局所密度近似 (sX-LDA) 汎関数を使用して、より信頼性の高い Si バンドギャップを取得しました。分析の結果は 4 つあります。まず、2 つの C (Sn) 原子は、3 のときにエネルギー的に安定です。rd 、 4 th 、 6 th 、 7 、および 9番目の隣接原子である一方、2 つの Ge 原子の安定性は原子配置に依存しません。第二に、C と Ge (Sn) 原子は、2番目、5番目、8番目(1番目と 8番目)のときに安定です。) 隣人ですが、Sn および Ge 原子の安定性は原子配置とは無関係です。第３に、ＳｉがＣおよび／またはＳｎ原子（Ｇｅ原子）を含む場合、Ｓｉバンドギャップは原子配置に依存する（依存しない）。C を最大 4.68%、Ge (Sn) を最大 3.12% 均一にモノドーピングすると、Si バンドギャップの平均値が減少しました。C ドーピングは Si バンドギャップを最も減少させましたが、Ge ドーピングはそれを最も減少させませんでした。第四に、ＣとＳｎを１：１の比（ＣとＧｅは１：１、ＧｅとＳｎは１：１）で１．５６％で一様に共ドーピングすることも、Ｓｉバンドギャップを減少させた。ここに示されている結果は、太陽電池アプリケーシ...
続きを読む硫化アンモニウム（ＮＨ４）２Ｓ処理を用いたＧａＡｓのウェーハ結合を種々の構造について調べた。ｎ‐ＧａＡｓ／ｎ‐ＧａＡｓウエハ結合構造を用いたＩＩＩ‐Ｖ族太陽電池デバイスの電気伝導率に対するウエハオフカット角の影響を調べた。高分解能 x 線回折を使用して、結合したサンプルの方向のずれを確認します。さらに、GaAs 上にエピタキシャル成長させた pn 接合の電気特性を、n-GaAs/p-GaAs ウエハー結合構造と比較します。高分解能透過型電子顕微鏡 (HRTEM) および走査型透過型電子顕微鏡(STEM) を使用して、600°C RTP 後の相対的な方向ずれの範囲にわたって界面の形態を比較します。非晶質酸化物介在物に対する十分に結合した結晶領域の比率は、結合したすべてのサンプルで一貫しており、高温での界面再結晶化のレベルに方位差の程度が影響しないことを示しています。 出典:IOPサイエンス 詳細については、当社のウェブサイトwww.semiconductorwafers.netをご覧ください。 sales@powerwaywafer.comまたはpowerwaymaterial@gmail.comに電子メールをお送りください。...
続きを読むp型6H-SiCから調製した多孔質SiCの光透過率,光ルミネセンス(PL)の温度依存性,およびRaman散乱を, バルクp型6H-SiCのものと比較した。 . 室温でのバルク SiC の透過スペクトルは、3.03 eV のバンド ギャップに対応する比較的鋭いエッジを示しますが、多孔質 SiC (PSC) の透過エッジは広すぎてバンド ギャップを決定できません。この広いエッジは、PSC の表面状態による可能性があると考えられています。室温では、PSC の PL はバルク SiC の PL よりも 20 倍強力です。PL PSC スペクトルは基本的に温度に依存しません。PSC からのラマン散乱ピークの相対強度は、バルク SiC からのものとは対照的に、偏光構成に大きく依存せず、局所的な秩序がかなりランダムであることを示唆しています。 出典:IOPサイエンス 詳細については、当社のウェブサイトwww.semiconductorwafers.netをご覧ください。 sales@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.comに電子メールをお送りください。 ...
続きを読むp型6H-SiCから調製した多孔質SiCの光透過率,光ルミネセンス(PL)の温度依存性,およびRaman散乱を, バルクp型6H-SiCのものと比較した。 . 室温でのバルク SiC の透過スペクトルは、3.03 eV のバンド ギャップに対応する比較的鋭いエッジを示しますが、多孔質 SiC (PSC) の透過エッジは広すぎてバンド ギャップを決定できません。この広いエッジは、PSC の表面状態による可能性があると考えられています。室温では、PSC の PL はバルク SiC の PL よりも 20 倍強力です。PL PSC スペクトルは基本的に温度に依存しません。PSC からのラマン散乱ピークの相対強度は、バルク SiC からのものとは対照的に、偏光構成に大きく依存せず、局所的な秩序がかなりランダムであることを示唆しています。 出典:IOPサイエンス 詳細については、当社のウェブサイトwww.semiconductorwafers.netをご覧ください。 sales@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.comに電子メールをお送りください。 ...
続きを読むこの論文では、CdZnTe結晶のアニーリング方法が説明されています。純粋な Cd および Zn 金属がアニーリング ソースとして使用され、特定の温度で CdZnTe の正確な Cd および Zn 平衡分圧を同時に提供します。特性評価により、均一性が大幅に改善され、欠陥密度が1桁以上減少することが明らかになりました。これにより、CdZnTe結晶の構造的、光学的、および電気的特性がこのアニーリングによって明らかに改善されます。アニーリング後の CdZnTe 品質の温度依存性の調査は、1073 K が CdZnTe の好ましいアニーリング温度であることを示しています。このアニーリング プロセスは、Cd 1− y Znを使用した近似平衡分圧アニーリングよりも優れていることが既に実証されています。 焼きなまし源としてy合金。 出典:IOPサイエンス 詳細については、当社のウェブサイトwww.semiconductorwafers.netをご覧ください。 sales@powerwaywafer.comまたはpowerwaymaterial@gmail.comに電子メールをお送りください。...
続きを読むこの研究では、InP層が Si基板上に転写されました。イオン切断プロセスと選択的化学エッチングを組み合わせたプロセスにより、熱酸化物でコーティングされています。バルク InP ウェーハの従来のイオン切断と比較して、この層転写スキームは、再利用のために残りの基板を節約することによってイオン切断を利用するだけでなく、選択エッチングを利用して、化学的および機械的手法を使用せずに転写された表面状態を改善します。研磨。最初にＭＯＣＶＤによって成長させたＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰヘテロ構造にＨ＋イオンを注入した。注入されたヘテロ構造は、熱 SiO2 層でコーティングされた Si ウェーハに結合されました。その後のアニーリングにより、結合構造は、InP 基板に位置する水素投影飛程付近の深さで剥離しました。原子間力顕微鏡は、転写されたままの構造に対する選択的な化学エッチングの後、 出典:IOPサイエンス 詳細については、当社のウェブサイトwww.semiconductorwafers.netをご覧ください。 sales@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.comに電子メールをお送りください。 ...
続きを読むGaSb上の HgCdSe 赤外線材料の開発に関する最近の取り組みをレビューします。より低い生産コストとより大きなフォーカルプレーンアレイフォーマットサイズの機能を備えた次世代赤外線検出器を製造するための分子線エピタキシー（MBE）による基板。高品質の HgCdSe エピ層を実現するために、HgCdSe を成長させる前に ZnTe バッファー層を成長させます。ZnTe バッファー層のミスフィット歪みの研究では、ZnTe バッファー層の厚さを 300 nm 未満にする必要があることが示されています。ミスフィット転位。ＨｇＣｄＳｅ材料のカットオフ波長／合金組成は、ＨｇＣｄＳｅ成長中のＳｅ／Ｃｄビーム相当圧力の比を変えることによって広い範囲で変えることができる。成長温度は HgCdSe の材料品質に大きな影響を与え、成長温度が低いほど HgCdSe の材料品質が高くなります。通常、長波赤外線 HgCdSe ( x=0.18、80 K でのカットオフ波長 ) は、電子移動度が と同じくらい高く 、バックグラウンド電子濃度が 1.6 × 10 16 cm -3と低く、少数キャリアの寿命が . 電子移動度と少数キャリア寿命のこれらの値は、公開文献で報告されている MBE 成長 HgCdSe の以前の研究の大幅な改善を表し、格子整合 CdZnTe 基板上で成長した対応する HgCdTe 材料の値に匹敵します。これらの結果は、西オーストラリア大学で成長した HgCdSe、特に長波赤外線が、高性能赤外線検出器を作成するための基本的な材料品質要件を満たすことができることを示していますが、バックグラウンド電子濃度を 10 15 cm -3 未満に制御するにはさらなる努力が 必要です。さらに重要なことは、GaSb上のさらに高品質の HgCdSe 材料です。成長条件をさらに最適化し、より高純度の Se 原料を使用し、成長後の熱アニールと欠陥/不純物のゲッタリング/フィルタリングを実装することで、さらなる改善が期待されます。私たちの結果は、GaSb 基板上に成長させた HgCdSe 赤外線材料が、低コストでより大きなアレイ フォーマット サイズの機能を備えた次世代赤外線検出器を製造するための大きな可能性を示しています。 出典:IO...
続きを読むウェット エッチングは、半導体やソーラー ウエハーの製造、および MEMS デバイスの製造における重要なステップです。高度な半導体デバイス製造では、より精密なドライ エッチング技術に取って代わられていますが、シリコン基板自体の製造においては依然として重要な役割を果たしています。また、大量の太陽電池ウエハーの応力緩和と表面テクスチャリングを提供するためにも使用されます。半導体および太陽電池用途向けのシリコンのウェットエッチング技術について概説します。ウェーハのこのステップへの影響プロパティと重要なパラメーター (半導体ウエハーの平坦性、トポロジー、表面粗さ、ソーラー ウエハーの表面テクスチャーと反射率) が提示されます。半導体および太陽電池ウェーハ製造における特定の用途にエッチング技術とエッチング液を使用する理由を説明します。 出典:IOPサイエンス 詳細については、当社のウェブサイトwww.semiconductorwafers.netをご覧ください。 sales@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.comに電子メールをお送りください。 ...
続きを読む4H-SiCホモエピタキシャル膜は、ビス(トリメチルシリル)メタン(BTMSM)前駆体からの化学蒸着により、温度範囲で8°オフアクシスの多孔質4H-SiC(0001)面上に成長しました 。成長の活性化エネルギーは 5.6 kcal/mol であり、膜成長が拡散律速機構によって支配されていることを示しています。3C-SiCポリタイプの形成により、1280°Cの低温で成長したSiC薄膜に三角形の積層欠陥が組み込まれました。さらに、1320°C未満で成長したSiC膜には超らせん転位が深刻に現れました。25 標準立方センチメートル/分 (sccm) 未満で成長した SiC 膜では、きれいで特徴のない形態が観察されました。 1380°CでのBTMSMのキャリアガス流量。一方、二重配置境界を持つ3C-SiCポリタイプは、BTMSMの30 sccm流量で成長しました。エピ層の転位密度は、BTMSMの成長温度と流量に強く影響されました。二軸結晶X線回折および光学顕微鏡分析により、BTMSMの成長温度が高く、流速が低いほど転位密度が減少することが明らかになりました。最適化された条件で成長した膜のロッキング カーブの半値全幅は 7.6 秒角であり、鋭い自由励起子線と Al 結合励起子線がエピ層に現れています。 出典:IOPサイエンス 詳細については、当社のウェブサイトwww.semiconductorwafers.netをご覧ください。 sales@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.comに電子メールをお送りください。 ...
続きを読む過去 10 年間、シリコン (Si) 基板と組み合わせた単結晶ゲルマニウム (Ge) 層と構造の使用により、Ge の欠陥研究が復活しました。Si 結晶では、ドーパントと応力が固有点欠陥 (空孔Vと自己格子間I ) パラメーターに影響を与え、VとIの熱平衡濃度を変化させます。しかし、実験データが不足しているため、真性点欠陥濃度の制御は、Si 結晶と同じレベルでGe 結晶ではまだ実現されていません。この研究では、密度汎関数理論(DFT) 計算を使用して、等方性内部/外部応力の影響を評価しました ( σin / σ ex )は、Ge 中のドーパント (B、Ga、C、Sn、および Sb) 原子の周りの中性VおよびIの形成エンタルピー ( H f ) を調べ、その結果を Si の結果と比較しました。分析の結果は 3 つあります。まず、完全Ｇｅ中のＶ（Ｉ ）のＨｆ は圧縮σ ｉｎにより減少（増加）し、完全Ｇｅ中のＶ（Ｉ ）のＨｆは圧縮σ ｅｘにより増加（減少）する。、すなわち、静水圧。完全な Ge 結晶の応力の影響は、完全な Si 結晶の場合よりも大きくなります。第 2 に、Ge 結晶では、 Sn および Sb 原子の周囲のVのH fが減少し、 B、Ga、および C 原子の周囲のIのH fが減少します。Ge 結晶のドーパントの影響は、Si 結晶のそれよりも小さくなります。第三に、圧縮σ in は、ドーパントの種類に関係なく、Ge 結晶のドーパント原子の周りのV ( I )のH fを減少 (増加) させますが、 σ exはVのH fに与える影響は小さく、I in ドープされた Ge 結晶では、σ inよりも. 結晶成長中の熱応力下でのドープＧｅの融点における全ＶおよびＩの熱平衡濃度も評価した。 出典:IOPサイエンス 詳細については、当社のウェブサイトwww.semiconductorwafers.netをご覧ください。 sales@powerwaywafer.comまたはpowerwaymaterial@gmail.comに電子メールをお送りください。...
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