私たちは誰ですか

中国の化合物半導体材料のリードメーカーとしてpam-xiamenは、第1世代のゲルマニウムウェーハ、ga、al、in、as、pに基づくIII-Vシリコンドープn型半導体材料の基板成長とエピタキシーによる第2世代ガリウム砒素から、高度な結晶成長技術とエピタキシ技術を開発しています第3世代には、mbeまたはmocvdによって成長された:炭化ケイ素および窒化ガリウムが、リードおよびパワーデバイス用途に使用されている。11
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蓄積と開発の20年以上後、当社は技術革新と人材プールで明白な利点を持っています。将来的には、顧客により良い製品とサービスを提供するための実際の行動のペースをスピードアップする必要があります
ドクターチャン -厦門汽車有限公司の最高経営責任者(CEO)

当社の製品

青色レーザ

ギャーンテンプレート

pam-xiamenのテンプレート製品は、サファイア基板上に堆積された窒化ガリウム(gan)、窒化アルミニウム(aln)、窒化アルミニウムガリウム(algan)および窒化インジウムガリウム(ingan) シリコンカーバイドまたはシリコン・パーム・シャイアのテンプレート製品は、コスト、歩留まり、および性能においてデバイスを改善することができる、より良好な構造品質およびより高い熱伝導率を有する20〜50%短いエピタキシサイクル時間およびより高品質のエピタキシャルデバイス層を可能にする。11

シリコン上のガン

フリースタンディングガーン基質

pam-xiamenは、uhb-ledとldのためのフリースタンディング(窒化ガリウム)基板ウェーハ用の製造技術を確立しました。水素化物気相エピタキシー(hvpe)技術によって成長させると、我々のgan基板は欠陥密度が低い。

ガーゼクリスタル

ガウス(ガリウム砒素)ウェーハ

pwamは、化合物半導体基板 - ガリウム砒素結晶とウェーハを開発し、製造しています。我々は高度な結晶成長技術、垂直グラジエントフリーズ(vgf)およびガーウェーハ処理技術を使用し、結晶成長、切断、研磨から研磨加工、ウェハ洗浄およびパッケージング用の100クラスクリーンルーム。当社のガース・ウェーハには、LED、LD、マイクロエレクトロニクス・アプリケーション用の2〜6インチ・インゴット/ウェーハが含まれています。現在、サブステートの品質を向上させ、大型基板を開発することに専念しています。11

擬似結晶

sicエピタキシー

炭化ケイ素デバイスの開発のために、6hまたは4h基板上にカスタム薄膜(シリコンカーバイド)sicエピタキシを提供しています。ショットキーダイオード、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、接合電界効果トランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ、サイリスタ、gtoおよび絶縁ゲートバイポーラに主に使用されている。11

擬似結晶

基板

pam-xiamenは、研究者のために品質の異なる半導体炭化シリコンウェーハ、6時間および4時間を提供します 業界の製造元。我々は、結晶成長技術と結晶ウエハ加工技術を開発しており、 ganエピタキシーデバイス、パワーデバイス、およびデバイスに適用される製造元の基板への生産ラインを確立しました。 高温装置およびオプトエレクトロニクス装置である。大手メーカーから先進的な分野の投資を受けたプロの企業として ハイテクの材料研究と州の研究所と中国の半導体ラボでは、私たちは常に 現在の基板の品質を改善し、大きなサイズの基板を開発する。11

ガンエクスポージャー

ガンベースのエピタキシャルウェーハ

pam-xiamenのガリウム(窒化ガリウム)ベースのエピタキシャルウェーハは、超高輝度青色および緑色発光ダイオード(led)およびレーザダイオード(ld)アプリケーション向けです。

ガン・ヘムエピタキシ

ガン・ヘムエピタキシャル・ウェーハ

窒化ガリウム(GaN)半田(高電子移動度トランジスタ)は、次世代のRFパワートランジスタ技術であり、ガン技術には感謝している。パム - シャーマンはサファイアまたはシリコン上にalgan / gan hemtエピウェハを、サファイアテンプレート上にはalgan / 。

擬似結晶

ウェハウェーハ回収

pam-xiamenは、次のような再利用ウェーハサービスを提供することができます。

なぜ私たちを選ぶ

  • 無料でプロフェッショナルな技術サポート

    お問い合わせからアフターサービスまで、無料の技術サービスをご利用いただけます。 25以上の経験 半導体のラインで。

  • 良い販売サービス

    私たちの目標はあなたのすべての要件を満たすことです、 どんなに小さな注文でも そして どのように難しい質問 資格を持つ製品と満足のいくサービスを通じて、あらゆる顧客の持続的で収益性の高い成長を維持することができます。11

  • 25年以上の経験

    より多くの 25歳以上 経験 化合物半導体材料分野および輸出業務において、私たちのチームはお客様の要件を理解し、プロフェッショナルなプロジェクトに対処できることを保証することができます。

  • 信頼できる品質

    品質が最優先です。パム・シャーマンはされている iso9001:2008 顧客のさまざまなニーズに対応するためのかなりの範囲の認定製品を提供することができる4つの現代的な工場を所有し、共有しており、すべての注文は厳格な品質システムによって処理されなければなりません。 テストレポートは出荷ごとに提供され、各ウェーハは保証されています。11

"私たちはいくつかの仕事にパワーウェイのエピウェーハを使用しています。私たちはエピの品質に非常に感銘を受けています"
james s.speck、カリフォルニア州材料学部
2018-01-25
"親愛なるパク・シャーマンのチーム、あなたの職業の意見をありがとう、問題が解決された、我々はあなたのパートナーになることがとてもうれしい"
ラマンk。シャウハン、セレンフォトニクス
2018-01-25
"私の質問と競争力のある価格の迅速な返信をありがとう、それは私たちのために非常に便利です、私たちはすぐに再び注文します"
マークス・シーガー、ulm大学
2018-01-25
"シリコンカーバイドウェハは今日到着しました。私たちは本当に満足しています!あなたのプロダクションクルーまでお世話になりました!
デニス、エクセター大学
2018-01-25

世界で最も有名な大学と企業が信頼する

最新ニュース

A Facile Method for Heteroepitaxial Growth of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended Si Wafer by Conventional Chemical Vapor Deposition

2019-12-09

Although epitaxial growth of Si films on both surfaces of silicon wafer (epi-Si/Si-wafer/epi-Si) can be realized in foundry by means of mounting certain amounts of silicon wafers in a boat in commercial specialized chemical vapor deposition equipment (s-CVD), for its counterpart epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC, neither is it readily realized in s-CVD, nor is it easily achieved in conventional chemical vapor deposition equipment (c-CVD) which is generally used for growth of 3C-SiC on single surface of silicon wafer (epi-SiC/Si-wafer). Since the growth of epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC in one run is more efficient, and is anticipated, in this work, we demonstrated a facile method for growth of epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC in c-CVD. The Si wafer was double-side polished and mounted in a suspension mode on the susceptor in the c-CVD chamber. It was found that homogeneous 3C-SiC(100) films were heteroepitaxially grown on both surfaces of the suspended Si(100) wafer simultaneously. The structural and electri...

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Growth and relaxation processes in Ge nanocrystals on free-standing Si(001) nanopillars

2019-12-02

Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Shock-recovery studies on InSb single crystals up to 24 GPa

2019-11-25

A series of shock-recovery experiments on InSb single crystals along the (100) or (111) axes up to 24 GPa were performed using flyer plate impact. The structures of recovered samples were characterized by X-ray diffraction (XRD) analysis. According to calculated peak pressures and temperatures, and phase diagram for InSb, the sample could undergo phase transitions from zinc-blende structure to high-pressure phases. However, the XRD trace of each sample corresponded to powder pattern of InSb with zinc-blende structure. The XRD trace of each sample revealed the absence of additional constituents including metastable phases and high-pressure phases of InSb except for samples shocked around 16 GPa. At 16 GPa, in addition to zinc-blende structure, additional peaks were obtained. One of these peaks may correspond to the Cmcm or Immm phase of InSb, and the other peaks were not identified. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send ...

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Integration of GaAs, GaN, and Si-CMOS on a common 200 mm Si substrate through multilayer transfer process

2019-11-18

The integration of III–V semiconductors (e.g., GaAs and GaN) and silicon-on-insulator (SOI)-CMOS on a 200 mm Si substrate is demonstrated. The SOI-CMOS donor wafer is temporarily bonded on a Si handle wafer and thinned down. A second GaAs/Ge/Si substrate is then bonded to the SOI-CMOS-containing handle wafer. After that, the Si from the GaAs/Ge/Si substrate is removed. The GaN/Si substrate is then bonded to the SOI–GaAs/Ge-containing handle wafer. Finally, the handle wafer is released to realize the SOI–GaAs/Ge/GaN/Si hybrid structure on a Si substrate. By this method, the functionalities of the materials used can be combined on a single Si platform. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Highly doped p-type 3C–SiC on 6H–SiC substrates

2019-11-11

Highly doped p-3C–SiC layers of good crystal perfection have been grown by sublimation epitaxy in vacuum. Analysis of the photoluminescence spectra and temperature dependence of the carrier concentration shows that at least two types of acceptor centers at ~EV + 0.25 eV and at EV + 0.06–0.07 eV exist in the samples studied. A conclusion is reached that layers of this kind can be used as p-emitters in 3C–SiC devices. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Photo-induced currents in CdZnTe crystals as a function of illumination wavelength

2019-11-05

We report variations in the currents of CdZnTe semiconductor crystals during exposure to a series of light emitting diodes of various wavelengths ranging from 470 to 950 nm. The changes in the steady-state current of one CdZnTe crystal with and without illumination along with the time dependence of the illumination effects are discussed. Analysis of the de-trapping and transient bulk currents during and after optical excitation yield insight into the behaviour of charge traps within the crystal. Similar behaviour is observed for illumination of a second CdZnTe crystal suggesting that the overall illumination effects are not crystal dependent. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Room-temperature bonding of GaAs//Si and GaN//GaAs wafers with low electrical resistance

2019-10-30

The electrical properties of room-temperature bonded wafers made from materials with different lattice constants, such as p-GaAs and n-Si, p-GaAs and n-Si [both with an indium tin oxide (ITO) surface layer], and n-GaN and p-GaAs, were investigated. The bonded p-GaAs//n-Si sample exhibited an electrical interface resistance of 2.8 × 10−1 Ωcm2 and showed ohmic-like characteristics. In contrast, the bonded p-GaAs/ITO//ITO/n-Si sample showed Schottky-like characteristics. The bonded n-GaN//p-GaAs wafer sample exhibited ohmic-like characteristics with an interface resistance of 2.7 Ωcm2. To our knowledge, this is the first reported instance of a bonded GaN//GaAs wafer with a low electrical resistance. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Epitaxial growth of Bi2Se3 layers on InP substrates by hot wall epitaxy

2019-10-21

The a-axis lattice parameter of Bi2Se3 is almost identical to the lattice periodicity of the InP (1 1 1) surface. We consequently obtain remarkably smooth Bi2Se3 (0 0 0 1) layers in hot-wall-epitaxy growth on InP (1 1 1)B substrates. The lattice-matched periodicity is preserved in the [1 1 0] and [] directions of the (0 0 1) surface. The Bi2Se3 layers grown on InP (0 0 1) substrates exhibit 12-fold in-plane symmetry as the [] direction of Bi2Se3 is aligned to either of the two directions. When the (1 1 1)-oriented InP substrates are inclined, the Bi2Se3 (0 0 0 1) layers are found to develop steps having a height of ~50 nm. The tilting of the Bi2Se3 [0 0 0 1] axis with respect to the growth surface is responsible for the creation of the steps. Epitaxial growth is thus evidenced to take place rather than van der Waals growth. We point out its implications on the surface states of topological insulators. Source:IOPscience For more information, please vis...

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Mid-infrared InAs/GaSb strained layer superlattice detectors with nBn design grown on a GaAs substrate

2019-09-29

We report on a type-II InAs/GaSb strained layer superlattice (SLS) photodetector (λ_{\rm cut\hbox{-}off}  ~4.3 µm at 77 K) with nBn design grown on a GaAs substrate using interfacial misfit dislocation arrays to minimize threading dislocations in the active region. At 77 K and 0.1 V of the applied bias, the dark current density was equal to 6 × 10−4 A cm−2 and the maximum specific detectivity D* was estimated to 1.2 × 1011 Jones (at 0 V). At 293 K, the zero-bias D* was found to be ~109 Jones which is comparable to the nBn InAs/GaSb SLS detector grown on the GaSb substrate. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Overview of recent direct wafer bonding advances and applications

2019-09-18

Direct wafer bonding processes are being increasingly used to achieve innovative stacking structures. Many of them have already been implemented in industrial applications. This article looks at direct bonding mechanisms, processes developed recently and trends. Homogeneous and heterogeneous bonded structures have been successfully achieved with various materials. Active, insulating or conductive materials have been widely investigated. This article gives an overview of Si and SiO2 direct wafer bonding processes and mechanisms, silicon-on-insulator type bonding, diverse material stacking and the transfer of devices. Direct bonding clearly enables the emergence and development of new applications, such as for microelectronics, microtechnologies, sensors, MEMs, optical devices, biotechnologies and 3D integration. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@g...

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