私たちは誰ですか

中国の化合物半導体材料のリードメーカーとしてpam-xiamenは、第1世代のゲルマニウムウェーハ、ga、al、in、as、pに基づくIII-Vシリコンドープn型半導体材料の基板成長とエピタキシーによる第2世代ガリウム砒素から、高度な結晶成長技術とエピタキシ技術を開発しています第3世代には、mbeまたはmocvdによって成長された:炭化ケイ素および窒化ガリウムが、リードおよびパワーデバイス用途に使用されている。11
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蓄積と開発の20年以上後、当社は技術革新と人材プールで明白な利点を持っています。将来的には、顧客により良い製品とサービスを提供するための実際の行動のペースをスピードアップする必要があります
ドクターチャン -厦門汽車有限公司の最高経営責任者(CEO)

当社の製品

青色レーザ

ギャーンテンプレート

pam-xiamenのテンプレート製品は、サファイア基板上に堆積された窒化ガリウム(gan)、窒化アルミニウム(aln)、窒化アルミニウムガリウム(algan)および窒化インジウムガリウム(ingan) シリコンカーバイドまたはシリコン・パーム・シャイアのテンプレート製品は、コスト、歩留まり、および性能においてデバイスを改善することができる、より良好な構造品質およびより高い熱伝導率を有する20〜50%短いエピタキシサイクル時間およびより高品質のエピタキシャルデバイス層を可能にする。11

シリコン上のガン

フリースタンディングガーン基質

pam-xiamenは、uhb-ledとldのためのフリースタンディング(窒化ガリウム)基板ウェーハ用の製造技術を確立しました。水素化物気相エピタキシー(hvpe)技術によって成長させると、我々のgan基板は欠陥密度が低い。

ガーゼクリスタル

ガウス(ガリウム砒素)ウェーハ

pwamは、化合物半導体基板 - ガリウム砒素結晶とウェーハを開発し、製造しています。我々は高度な結晶成長技術、垂直グラジエントフリーズ(vgf)およびガーウェーハ処理技術を使用し、結晶成長、切断、研磨から研磨加工、ウェハ洗浄およびパッケージング用の100クラスクリーンルーム。当社のガース・ウェーハには、LED、LD、マイクロエレクトロニクス・アプリケーション用の2〜6インチ・インゴット/ウェーハが含まれています。現在、サブステートの品質を向上させ、大型基板を開発することに専念しています。11

擬似結晶

sicエピタキシー

炭化ケイ素デバイスの開発のために、6hまたは4h基板上にカスタム薄膜(シリコンカーバイド)sicエピタキシを提供しています。ショットキーダイオード、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、接合電界効果トランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ、サイリスタ、gtoおよび絶縁ゲートバイポーラに主に使用されている。11

擬似結晶

基板

pam-xiamenは、研究者のために品質の異なる半導体炭化シリコンウェーハ、6時間および4時間を提供します 業界の製造元。我々は、結晶成長技術と結晶ウエハ加工技術を開発しており、 ganエピタキシーデバイス、パワーデバイス、およびデバイスに適用される製造元の基板への生産ラインを確立しました。 高温装置およびオプトエレクトロニクス装置である。大手メーカーから先進的な分野の投資を受けたプロの企業として ハイテクの材料研究と州の研究所と中国の半導体ラボでは、私たちは常に 現在の基板の品質を改善し、大きなサイズの基板を開発する。11

ガンエクスポージャー

ガンベースのエピタキシャルウェーハ

pam-xiamenのガリウム(窒化ガリウム)ベースのエピタキシャルウェーハは、超高輝度青色および緑色発光ダイオード(led)およびレーザダイオード(ld)アプリケーション向けです。

ガン・ヘムエピタキシ

ガン・ヘムエピタキシャル・ウェーハ

窒化ガリウム(GaN)半田(高電子移動度トランジスタ)は、次世代のRFパワートランジスタ技術であり、ガン技術には感謝している。パム - シャーマンはサファイアまたはシリコン上にalgan / gan hemtエピウェハを、サファイアテンプレート上にはalgan / 。

擬似結晶

ウェハウェーハ回収

pam-xiamenは、次のような再利用ウェーハサービスを提供することができます。

なぜ私たちを選ぶ

  • 無料でプロフェッショナルな技術サポート

    お問い合わせからアフターサービスまで、無料の技術サービスをご利用いただけます。 25以上の経験 半導体のラインで。

  • 信頼できる品質

    品質が最優先です。パム・シャーマンはされている iso9001:2008 顧客のさまざまなニーズに対応するためのかなりの範囲の認定製品を提供することができる4つの現代的な工場を所有し、共有しており、すべての注文は厳格な品質システムによって処理されなければなりません。 テストレポートは出荷ごとに提供され、各ウェーハは保証されています。11

  • 25年以上の経験

    より多くの 25歳以上 経験 化合物半導体材料分野および輸出業務において、私たちのチームはお客様の要件を理解し、プロフェッショナルなプロジェクトに対処できることを保証することができます。

  • 良い販売サービス

    私たちの目標はあなたのすべての要件を満たすことです、 どんなに小さな注文でも そして どのように難しい質問 資格を持つ製品と満足のいくサービスを通じて、あらゆる顧客の持続的で収益性の高い成長を維持することができます。11

"シリコンカーバイドウェハは今日到着しました。私たちは本当に満足しています!あなたのプロダクションクルーまでお世話になりました!
デニス、エクセター大学
2018-01-09
"私の質問と競争力のある価格の迅速な返信をありがとう、それは私たちのために非常に便利です、私たちはすぐに再び注文します"
マークス・シーガー、ulm大学
2017-11-02
"親愛なるパク・シャーマンのチーム、あなたの職業の意見をありがとう、問題が解決された、我々はあなたのパートナーになることがとてもうれしい"
ラマンk。シャウハン、セレンフォトニクス
2016-04-13
"私たちはいくつかの仕事にパワーウェイのエピウェーハを使用しています。私たちはエピの品質に非常に感銘を受けています"
james s.speck、カリフォルニア州材料学部
2015-09-10

世界で最も有名な大学と企業が信頼する

最新ニュース

蒸気 - 液体 - 固体三相エピタキシーによるSi基板上の3c膜の成長

2018-10-13

蒸気 - 液体 - 固体三相成長法により立方晶系の膜(3c-sic)を(111)Si基板上に堆積させた。このようなプロセスでは、成長前にSi基板上に蒸着された薄い銅層が、フラックスとして高温で溶融され、次にメタン(炭素源)が液体層中に拡散してSiと反応し、基板上のSiCの成長。銅は、高いシリコンおよび炭素の溶解性、低い成長温度および低い揮発性を含むフラックスとしていくつかの良好な特性を示した。銅フラックスに適した成長パラメータが同定され、その下に(111)テクスチャー加工された3c膜が成長した。少数の(220)粒子が完全に回避することが困難であった(111)膜に埋め込まれていることが観察された。基板表面上のCu融液のピットをエッチングすることは、(220)グレインの成長のための好ましいサイトとして作用することができる。 キーワード d。 sic;液相エピタキシー;薄膜 ソース:sciencedirect 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください: http://www.powerwaywafer.com /、 私達に電子メールを送ってください sales@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.com 。...

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レーザー生成ゲルマニウムプラズマの時間積分光放出研究

2018-09-17

我々は、qスイッチnd:yagレーザー(1064nm)、約5×109wcm-2までの出力密度、および5つの分光器のセットを用いて、レーザー生成ゲルマニウムプラズマの発光スペクトルに関する新しい時間積分データを提示する200nmから720nmまでのスペクトル範囲をカバーする。中性ゲルマニウムの4p5s→4p2遷移アレイと単一イオン化ゲルマニウムのいくつかの多重点のため、高分解能構造が観察されている。プラズマ温度は、4つの異なる技術を用いて(9000〜11000)kの範囲で決定されている。ボルツマン・プロット、サハ・ボルツマン・プロット、マロッタの手法を用いたが、電子密度は、(0.5-5.0)×1017cm-3の範囲の急激な広がりを持つ線プロファイルから推測されている。ゲルマニウムプラズマ。実験的に観察されたラインプロファイルに対するローレンツフィット(lorentzian fit)によって、多数のニュートラルおよび単一イオン化ゲルマニウムラインの半値全幅(fwhm)が抽出されている。さらに、4p5s 3p0,1,2→4p2 3p0,1,2マルチプレットの実験的に測定された相対線強度を、ls-カップリングスキームで計算されたものと比較して、中間カップリングスキームがレベル指定に適していることを明らかにしたゲルマニウム中。 ソース:iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください: http://www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.com 。...

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SiC Crystal

2018-04-25

What we provide:

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Detail Application of Silicon Carbide

2018-04-25

Detail Application of Silicon Carbide Because of SiC physical and electronic properties,silicon carbide based device are well suitable for short wavelength optoelectronic, high temperature, radiation resistant, and high-power/high-frequency electronic devices,compared with Si and GaAs based device. Many researchers know the general SiC application:III-V Nitride Deposition;Optoelectronic Devices;High Power Devices;High Temperature Devices;High Frequency Power Devices.But few people knows detail applications, here we list some detail application and make some explanations: 1.SiC substrate for X-ray monochromators: such as using SiC's large d-spacing of about 15 A 2.SiC substrate for high voltage devices 3.SiC substrate for diamond film growth by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition 4.For silicon carbide p-n diode 5.SiC substrate for optical window: such as for very short (< 100 fs) and intense (> 100 GW/cm2) laser pulses with a wavelength of 1300 nm. It should have a...

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Crystal wafer

2018-04-25

Crystal wafer(SiC wafer,gan wafer,gaas wafer,ge wafer,CZT wafer,AlN wafer,Si wafer) A wafer, also called a slice or substrate, is a thin slice of semiconductor material, such as a crystalline silicon, used in electronics for the fabrication of integrated circuits and in photovoltaics for conventional, wafer-based solar cells. The wafer serves as the substrate for microelectronic devices built in and over the wafer and undergoes many microfabrication process steps such as doping or ion implantation, etching, deposition of various materials, and photolithographic patterning. Finally the individual microcircuits are separated (dicing) and packaged. XiamenPowerway Advanced Material Co.,Ltd offers wide range crystal wafer as follows: 1)SiC crystal wafer:2”,3”,4” Orientation :0°/4°±0.5° Single Crystal 4H/6H Thickness: (250 ± 25) μm, (330 ± 25) μm,(430 ± 25) μm Type:N/SI Dopant:Nitrogen/V Resistivity (RT): 0.02 ~ 0.1 Ω·cm/>1E5 Ω·cm FWHM: A<30 arcsec B/C/D <50 arcsec Packaging:Single ...

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Silicon carbide of Ni/6H-SiC and Ti/4H-SiC type Schottky diode current-voltage characteristics modelling

2018-04-19

On the base of the physical analytical models based on Poisson's equation, drift–diffusion and continuity equations the forward current–voltage characteristics of 6H-SiC and 4H-SiC type Schottky diode with Ni and Ti Schottky contact have been simulated. It is shown on the base of analysis of current–voltage characteristics in terms of classical thermionic emission theory it is shown that the proposed simulation model of Schottky diode corresponds to the almost "ideal" diode with ideality factor n equals 1.1. Because of this it is determined that the effective Schottky barrier height phivB equals 1.57 eV and 1.17 eV for Ni/6H and Ti/4H silicon carbide Schottky diode type, respectively. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at angel.ye@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Molecular beam epitaxy growth of germanium junctions for multi-junction solar cell applications

2018-04-13

We report on the molecular beam epitaxy (MBE) growth and device characteristics of Ge solar cells. Integrating a Ge bottom cell beneath a lattice-matched triple junction stack grown by MBE could enable ultra-high efficiencies without metamorphic growth or wafer bonding. However, a diffused junction cannot be readily formed in Ge by MBE due to the low sticking coefficient of group-V molecules on Ge surfaces. We therefore realized Ge junctions by growth of homo-epitaxial n-Ge on p-Ge wafers within a standard III–V MBE system. We then fabricated Ge solar cells, finding growth temperature and post-growth annealing to be key factors for achieving high efficiency. Open-circuit voltage and fill factor values of ~0.175 V and ~0.59 without a window layer were obtained, both of which are comparable to diffused Ge junctions formed by metal-organic vapor phase epitaxy. We also demonstrate growth of high-quality, single-domain GaAs on the Ge junction, as needed for subsequent growth of III–V subcel...

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gan-on-siliconプラットフォーム上の櫛型駆動ガンマイクロミラー

2018-04-02

ここでは、gan-on-siliconプラットフォーム上に櫛型ドライブガンマイクロミラーを製作するための両面プロセスを報告します。最初にシリコン基板を裏面からパターニングし、深い反応性イオンエッチングによって除去し、完全に中断されたガンスラブをもたらす。トーションバー、可動櫛およびミラープレートを含むガンミクロ構造は、裏側アラインメント技術によって自立ガンスラブ上に定義され、cl2ガスによる高速原子ビームエッチングによって生成される。製造された櫛形駆動微小ミラーはgan薄膜の残留応力によって偏向されるが、追加の分離層を導入することなく高抵抗シリコン基板上で動作することができる。旋光実験では旋光角度が実験的に特徴付けられている。この研究は、シリコンオンシリコンプラットフォーム上にガン光学マイクロエレクトロメカニカルシステム(mem)デバイスを製造する可能性を開く。 ソース:iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください: www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.com...

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pam-xiamenは、ガウスベースのレーザーウェーハの成長にepiサービスを提供しています

2018-03-21

2001年に量産を開始した、サイズ3の新しいアベイラビリティを発表したシャーマン・パワーウェイアドバンスドマテリアルズ・カンパニー・リミテッドは、ガスベースのレーザ・ウェーハの成長およびその他の関連製品およびサービスのエピサービスのリーディング・サプライヤです。この新製品は、 pam-xiamenの製品ラインに加えて。ドクター。 \"光ファイバ通信の基本的な能動素子(レーザ光源)の高性能化と高信頼性を兼ね備えた多くのお客様に、量子井戸レーザ構造を提供することを嬉しく思っております。ガリウムヒ素およびインジウム・リン・ウェーハ上の量子井戸レーザ・ベース、量子井戸を利用するレーザおよび離散電子モードは、両方の技術によって製造され、紫外から定常までの様々な波長で生成される。量子井戸レーザは、低い閾値電流密度、優れた温度特性、高い変調速度、および高い量子効率のような多くの利点によって大きな注目を集めている。可用性がブール成長とウェーハプロセスを改善します」と述べています。 「当社の顧客は、正方形の基板上に高度なトランジスタを開発する際に期待されるデバイス歩留まりの恩恵を受けることができます.Gaasベースのレーザーウェーハの成長のためのエピサービスは、当社の継続的な努力の製品によって自然であり、現在、製品。 パム・シャーマン 改良されたガスベースのレーザーウェーハ製品ラインは、強力な技術、ネイティブの大学と研究所センターのサポートの恩恵を受けています。 次の例を示します。 808nmイングサス/ InPレーザ構造 層 材料 バツ y歪み耐性 pl 厚さ タイプ レベル &emsp; &emsp; (ppm) (nm) (um) &emsp; &emsp; &emsp; +/- 500 &emsp; 6 [(y)pの中の[al(x)ga] 0.3 0.49 +/- 500r &emsp; 5 ゲイン(x)p 0.49 &emsp; 0.5 ユー/ d &emsp; +/- 500 798 0.013 ユー/ d &emsp; +/- 500 &emsp; 2 [(y)pの中の[al(x)ga] 0.3 0.49 +/- 500 &emsp; 1 ガウス &emsp; &emsp; 0.5 n &emsp; &emsp; &emsp; n &emsp; 1990年に発見され、厦...

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lt-gaasにおけるthz生成プロセス

2018-03-13

lt-gaasにおけるthz生成プロセス 光学的ダウンコンバージョンは、低温成長ガウスを用いたthz生成のための最も成功した商業的技術である( lt-gaas )。この技術はしばしばテラヘルツ時間領域分光法(thz-tds)として知られている。この技術は、光伝導スイッチの光パルス励起によって機能する。ここでは、フェムト秒レーザパルスは、(1つまたは複数の)電極上に印刷された2つの電極 半導体基板 図1を参照されたい。レーザーパルスは、電極間に印加されたバイアスによって加速される電子および正孔を生成し、この一時的な光電流は、アンテナに結合され、パルス持続時間を反映する周波数成分を含み、 。 thz-tds設定では、光伝導スイッチのエミッタと同一の受信装置を用いてTHz放射が検出され、同じ光パルスによってゲート制御される。 図1のために、以下をクリックしてください: lt-gaasを使用する主な理由は、この材料の超高速光伝導用途への魅力的な特性です。 lta-gaasは、短キャリア寿命(\u003c200fs)、高抵抗率、高電子移動度および高破壊電界を含む物理的性質の独特の組み合わせを有する。 ガウスの低温成長 (190-350℃)は、過剰のヒ素が点欠陥として取り込まれることを可能にする:ヒ素虫歯(欠陥の大部分を占める)、ヒ素の間隙およびガリウム空孔。深いドナーとして作用するイオン化したアンチサイト欠陥であり、約0.7evは伝導帯を蛇行し、電子を伝導帯から中間ギャップ状態(0.7ev)に速く捕捉する。砒素の欠陥による電子のこの速いトラップのために、as-grown lt-gaaはキャリア寿命が90fsと短くてもよい。これは電子正孔の再結合を促進して電子寿命の実質的な減少をもたらし、したがって、この電子ガスの生成に適したものとなる。図2については、以下をクリックする。 サミール・リハニからのニュース 注:パワーウェーハは、2 \"から4\"までの大きさのltgaを提供することができ、エピ層は3μmまで、微小欠陥密度は\u003c5 / cm2、キャリア寿命は\u003c0.5ps...

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