ギャーンテンプレート

項目

pam-2inch-gant-n

pam-2inch-gant-si

伝導  タイプ

n型

半絶縁性

ドーパント

Siドープまたは  未払い

Feドープ

サイズ

2インチ（50mm）  直径

厚さ

4μm、20μm、30μm、50μm、100μm

30um、90um

オリエンテーション

c軸（0001）+/- 1 ^o

抵抗率（300k）

u003c0.05Ω・cm

＆gt; 1x10 ⁶ Ω・cm

転位  密度

u003c1x10 ⁸ cm-2

基板  構造

ガーン・オン  サファイア（0001）

表面仕上げ

単一または  両面研磨、エピレディ

使用可能領域

90％以上

項目

パムガンツp

伝導  タイプ

p型

ドーパント

mgドープ

サイズ

2インチ（50mm）  直径

厚さ

5um、20um、30um、50um、100um

オリエンテーション

c軸（0001）+/- 1 ^o

抵抗率（300k）

u003c1Ω・cmまたは  カスタム

ドーパント  濃度

1e17（cm-3）または  カスタム

基板  構造

ガーン・オン  サファイア（0001）

表面仕上げ

単一または  両面研磨、エピレディ

使用可能領域

90％以上

項目

pam-3inch-gant-n

伝導  タイプ

n型

ドーパント

Siドープまたは  未払い

除外  ゾーン：

外側から5mm  直径

厚さ：

20um、30um

転位  密度

＆lt; 1x10 ⁸ cm-2

シート  抵抗（300k）：

u003c0.05Ω・cm

基板：

サファイア

オリエンテーション ：

c面

サファイア  厚さ：

430um

研磨：

片面  磨かれた、準備ができた、原子ステップと。

裏側  コーティング：

（カスタム）高い  高品質チタンコーティング、厚さu003e 0.4μm

梱包：

個別に  クラス100クリーンルーム内で真空密閉されたアルゴン雰囲気下で充填した。

項目

pam-3inch-gant-si

伝導  タイプ

半絶縁性

ドーパント

Feドープ

除外  ゾーン：

外側から5mm  直径

厚さ：

20um、30um、90um（20um  一番です）

転位  密度

＆lt; 1x10 ⁸ cm-2

シート  抵抗（300k）：

＆gt; 10 ⁶ オーム・cm

基板：

サファイア

オリエンテーション ：

c面

サファイア  厚さ：

430um

研磨：

片面  磨かれた、準備ができた、原子ステップと。

裏側  コーティング：

（カスタム）高い  高品質チタンコーティング、厚さu003e 0.4μm

梱包：

個別に  クラス100クリーンルーム内で真空密閉されたアルゴン雰囲気下で充填した。

項目

pam-4inch-gant-n

伝導  タイプ

n型

ドーパント

未払い

厚さ：

4um

転位  密度

＆lt; 1x108cm-2

シート  抵抗（300k）：

u003c0.05Ω・cm

基板：

サファイア

オリエンテーション ：

c面

サファイア  厚さ：

-

研磨：

片面  磨かれた、準備ができた、原子ステップと。

梱包：

個別に  クラス100クリーンルーム内で真空密閉されたアルゴン雰囲気下で充填した。

項目

パムアルテシ

伝導  タイプ

半絶縁性

直径

Ф50.8mm±1mm

厚さ：

1000nm±10％

基板：

サファイア

オリエンテーション ：

c軸（0001）+/- 1 ^o

オリエンテーション  平らな

飛行機

xrd fwhm of  （0002）

u003c200  arcsec。

使用可能な  表面積

90％以上

研磨：

なし

項目

パムインガン

伝導  タイプ

-

直径

Ф50.8mm±1mm

厚さ：

100〜200nm、  カスタム

基板：

サファイア

オリエンテーション ：

c軸（0001）+/- 1 ^o

ドーパント

に

転位  密度

〜10 ⁸ cm-2

使用可能な  表面積

90％以上

表面仕上げ

単一または  両面研磨、エピレディ

項目

パムアルテシ

伝導  タイプ

半絶縁性

直径

Ф50.8mm±1mm

厚さ：

1000nm±10％

基板：

サファイア

オリエンテーション ：

c面

オリエンテーション  平らな

飛行機

xrd fwhm of  （0002）

u003c200  arcsec。

使用可能な  表面積

90％以上

研磨：

なし

1）undoped gan  バッファまたはalnバッファが利用可能である。

2）n型（Si  ドープされたまたはドープされていない）、入手可能なp型または半絶縁ganエピタキシャル層;

3）垂直  n型シリコン上の導電性構造;

4）アルガン -   20〜60nmの厚さ（20％〜30％a1）、Siドープされたバッファー;

5）ガンn型  330μm+/- 25um厚の2 "ウェーハ上の層。

6）単一または  両面研磨、エピレディ、ra u003c0.5um

7）典型的  xrdの値：

ウェハID

基板ID

xrd（102）

xrd（002）

厚さ

＃2153

x-70105033  （aln付き）

298

167

679um

1）ガン層  厚さ：50nm~4um;

2）n型または  半絶縁ガンが利用可能です。

3）単一または  両面研磨、エピレディ、ra u003c0.5um