2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（（111）または（111）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）またはvgf 100）。
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1xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（（111）または（111）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）またはvgf 100）。
リン化インジウム（inp）は、インジウムとリンとからなる二元系半導体である。それは、ガーおよびiii-v半導体の大部分のものと同一の面心立方（「閃亜鉛鉱」）結晶構造を有する。インジウムリンは、白リンとヨウ化インジウムとの反応から調製することができる[5]また、精製された元素を高温高圧下で直接的に組み合わせることにより、またはトリアルキルインジウム化合物とリン化物との混合物を熱分解させることによっても得ることができる。 inpは、より一般的な半導体のシリコンとガリウム砒素に比べて電子速度が優れているため、高出力と高周波のエレクトロニクスに使用されています。
| ウェーハ仕様 | |
| 項目 | 仕様 |
| ウェハ直径 | 50.5±0.4mm |
| 結晶方位 | （100）±0.1° |
| 厚さ | 350±25um / 500±25um |
| 一次フラット長 | 16±2mm |
| 二次フラット長 | 8±1mm |
| 表面仕上げ | p / e、p / p |
| パッケージ | エピレディー、シングルウェーハコンテナまたはcfカセット |
| 電気およびドーピング仕様 | ||||||
| 導電型 | n型 | n型 | n型 | n型 | p型 | p型 |
| ドーパント | 未払い | 鉄 | 錫 | 硫黄 | 亜鉛 | 低亜鉛 |
| e.d.p cm -2 | ≤ 5000 | ≤ 5000 | ≤ 50000 | ≤ 1000 | ≤ 1000 | ≤ 5000 |
| 移動度cm²v -1 s -1 | ≥ 4200 | ≥ 1000 | 2500〜750 | 2000-1000 | 指定されていない | 指定されていない |
| キャリア濃度cm -3 | ≤ 10 16 | 半絶縁性 | （ 7-40 ） * 10 17 | （ 1-10 ） * 10 18 | （ 1-6 ） * 10 18 | （ 1-6 ） * 10 1 |
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性を有するepi-readyまたは機械的グレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたインビボウェーハ - インジウムアンチモンを提供する。
xiamen powerwayは、エピタキシャルまたはメカニカルグレードのn型、p型または半絶縁性の異なる（111）または（100）のlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたヒ化インジウム - インジウムを提供しています。
厦門 パワーウェイは、ギャップウェーハ - リン化ガリウム（lec）（液体 カプセル化されたチョクラルスキー）を、エピ型またはメカニカルグレードのn型、p型 （111）または（100）で半絶縁性であってもよい。
xiamen powerwayは、異なる向き（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体カプセル化されたチョクラルスキー）
pwamは、化合物半導体基板 - ガリウム砒素結晶とウェーハを開発し、製造しています。我々は高度な結晶成長技術、垂直グラジエントフリーズ（vgf）およびガーウェーハ処理技術を使用し、結晶成長、切断、研磨から研磨加工、ウェハ洗浄およびパッケージング用の100クラスクリーンルーム。当社のガース・ウェーハには、LED、LD、マイクロエレクトロニクス・アプリケーション用の2〜6インチ・インゴット/ウェーハが含まれています。現在、サブステートの品質を向上させ、大型基板を開発することに専念しています。11
炭化ケイ素デバイスの開発のために、6hまたは4h基板上にカスタム薄膜（シリコンカーバイド）sicエピタキシを提供しています。ショットキーダイオード、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、接合電界効果トランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ、サイリスタ、gtoおよび絶縁ゲートバイポーラに主に使用されている。11
pam-xiamenは、研究者のために品質の異なる半導体炭化シリコンウェーハ、6時間および4時間を提供します 業界の製造元。我々は、結晶成長技術と結晶ウエハ加工技術を開発しており、 ganエピタキシーデバイス、パワーデバイス、およびデバイスに適用される製造元の基板への生産ラインを確立しました。 高温装置およびオプトエレクトロニクス装置である。大手メーカーから先進的な分野の投資を受けたプロの企業として ハイテクの材料研究と州の研究所と中国の半導体ラボでは、私たちは常に 現在の基板の品質を改善し、大きなサイズの基板を開発する。11
シリコンカーバイドベースのデバイスは、siおよびgaaベースのデバイスと比較して、短波長光電子、高温、放射線耐性、および高出力/高周波電子デバイスによく適している。
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