2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（（111）または（111）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）またはvgf 100）。
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（（111）または（111）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）またはvgf 100）。
リン化インジウム（inp）は、インジウムとリンとからなる二元系半導体である。それは、ガーおよびiii-v半導体の大部分のものと同一の面心立方（「閃亜鉛鉱」）結晶構造を有する。インジウムリンは、白リンとヨウ化インジウムとの反応から調製することができる[5]また、精製された元素を高温高圧下で直接的に組み合わせることにより、またはトリアルキルインジウム化合物とリン化物との混合物を熱分解させることによっても得ることができる。 inpは、より一般的な半導体のシリコンとガリウム砒素に比べて電子速度が優れているため、高出力と高周波のエレクトロニクスに使用されています。
| ウェーハ仕様 | |
| 項目 | 仕様 |
| ウェハ直径 | 50.5±0.4mm |
| 結晶方位 | （100）±0.1° |
| 厚さ | 350±25um / 500±25um |
| 一次フラット長 | 16±2mm |
| 二次フラット長 | 8±1mm |
| 表面仕上げ | p / e、p / p |
| パッケージ | エピレディー、シングルウェーハコンテナまたはcfカセット |
| 電気およびドーピング仕様 | ||||||
| 導電型 | n型 | n型 | n型 | n型 | p型 | p型 |
| ドーパント | 未払い | 鉄 | 錫 | 硫黄 | 亜鉛 | 低亜鉛 |
| e.d.p cm -2 | ≤ 5000 | ≤ 5000 | ≤ 50000 | ≤ 1000 | ≤ 1000 | ≤ 5000 |
| 移動度cm²v -1 s -1 | ≥ 4200 | ≥ 1000 | 2500〜750 | 2000-1000 | 指定されていない | 指定されていない |
| キャリア濃度cm -3 | ≤ 10 16 | 半絶縁性 | （ 7-40 ） * 10 17 | （ 1-10 ） * 10 18 | （ 1-6 ） * 10 18 | （ 1-6 ） * 10 1 |
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性を有するepi-readyまたは機械的グレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたインビボウェーハ - インジウムアンチモンを提供する。
xiamen powerwayは、エピタキシャルまたはメカニカルグレードのn型、p型または半絶縁性の異なる（111）または（100）のlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたヒ化インジウム - インジウムを提供しています。
厦門 パワーウェイは、ギャップウェーハ - リン化ガリウム（lec）（液体 カプセル化されたチョクラルスキー）を、エピ型またはメカニカルグレードのn型、p型 （111）または（100）で半絶縁性であってもよい。
xiamen powerwayは、異なる向き（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体カプセル化されたチョクラルスキー）
cz-シリコン 重く/軽くドープされたcz単結晶シリコンは、様々な集積回路（IC）、ダイオード、三極、緑色エネルギー太陽電池パネルの製造に適している。特別な構成要素のための高効率、耐放射線性および反変性太陽電池材料を製造するために特別な要素（例えば、ga、ge）を加えることができる。11
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性を有するepi-readyまたは機械的グレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたインビボウェーハ - インジウムアンチモンを提供する。
pam-xiamenはフォトレジストでフォトレジスト板を提供 フォトリソグラフィー除去（ストリップ）、最終検査など、ナノリソグラフィー（フォトリソグラフィー）を提供することができます：フォトリソグラフィー、フォトレジスト塗布、ソフトベーク、アライメント、露光、現像、ハードベーク。11
シリコンエピタキシャルウェーハ（エピウェーハ）は、単結晶シリコンウェーハ上に堆積された単結晶シリコンの層である（注：高度にドープされた単結晶シリコンウェーハの上に多結晶シリコン層の層を成長させることができるが、バルクSi基板と上部エピタキシャル層との間のバッファ層（例えば、酸化物またはポリSi）11
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