ザ SiCおよびGaNパワー半導体市場の開発 SiC技術と市場の現状、そして 今後数年間の開発動向 SiCデバイス市場は有望です。ショットキーバリアの販売 ダイオードは成熟し、MOSFET出荷は大幅に増加すると予想されている 今後3年間でYoleDéveloppementのアナリストによると、SiCは ダイオードに関しては非常に成熟しており、GaNはSiC MOSFETにはまったくチャレンジしていません 1.2kV以上の電圧で動作します。 GaNは650VのSiC MOSFETと競合する可能性があります SiCはより成熟しています。 SiCの販売は急速に伸び、 SiCはシリコンパワーデバイス市場から市場シェアを獲得し、 今後数年間に化合物の成長率は28％に達すると予測している。 IHS Markitは、SiC産業が ハイブリッドやハイブリッドなどのアプリケーションの成長に 電気自動車、パワ...
本論文では、完全結合三次元電気熱デバイスシミュレータを用いて、高電流動作時の平面劣化 G a N系発光ダイオード （LED）。特に、より厚い導電性GaN基板を用いた効率低下の改善が実証されている。第1に、薄い導電性GaN基板内の局所ジュール加熱は、内部量子効率（IQE）を低下させ、直列抵抗を増加させることが分かった。 次に、より厚い導電性GaN基板および基板内の電流密度および温度のシミュレートされた分布を導入した。その内部の最大電流密度は、 GaN基板 100μmの厚さの基板では、5μmの厚さの基板に比べて約6倍減少する。したがって、最大接合部温度が低下し、IQEおよび駆動電圧が向上します。本研究では、厚いGaN基板が高電流動作で平面LEDの特性を改善するのに有効であることを証明している。 出典：IOPscience もっと詳しく GaN系LEDエピタキシャルウエハ 、 中国ガリウム窒化物...
X線トポグラフィおよび化学エッチング検査 Si：Ge単結晶 1.2原子％および3.0原子％のGeを含有し、精密な格子パラメータ測定値と共に実施した。投影トポグラフでは、おそらくGe原子の不均一な分布による同心円の「準円」（縞模様）の形の回折コントラストが観察された。 エッチングパターンは、エッチングピットとしてのストリエーションおよび転位に対応するバンドを明らかにした。中央の「コア」結晶領域（ストリエーションフリー）は、断面形状分析から結論したように、微小欠陥によって強く乱された結晶格子を示した。格子パラメータ測定は、分布の不均一性を示している Ge原子 サンプル全体で もっと他のベスト PAM-XIAMENの 好きな商品 ゲルマニウムウェハー 、 エピウェーハ 、 エピタキシャルウェハ 歓迎する私たちのウェブサイト：semiconductorwafers.net 私達に電子メールを送って...
我々は、ウエハに埋め込まれた温度センサの熱応答時間を決定するための非接触法を提示する。この方法では、フラッシュランプがウェハ上のスポットを周期的なパルスで照射する。スポットは、テスト中のセンサーと反対側にあります。次いで、センサの熱時定数は、その時間的応答の測定から、熱の理論的モデルと共にセンサ内へおよびウエハ内での横方向の両方で得られる。白金抵抗温度計（PRT）とその中に埋め込まれた熱電対の両方に関する実験データ シリコン ウェーハ 熱伝達モデルとの良好な一致を示す。 広範囲の実験パラメータに対する熱応答時間の値は、8％（PRT）と20％（熱電対）の標準偏差内で一致しており、我々の結果の自己矛盾がないことを示しています。この方法は、計装化シリコンウェハに使用されるセンサの熱的性質を決定するために直接適用可能である。我々は、この方法が新しいセンサ取り付け方法の開発、製造中のセンサの適切な取...
１３．５６ＭＨｚのプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて、水素化微結晶の初期成長段階でシード層が製造される。 シリコンゲルマニウム （μｃ − Ｓｉ １ − ｘ Ｇｅ ｘ：Ｈ）ｉ層。 μc-Si 1-x Ge x：H i層の成長およびμc-Si 1-x Ge x：H p-i-nの性能に対するシーディングプロセスの効果 単接合太陽電池 調査されます。このシーディング法を適用することによって、μｃ − Ｓｉ１ − ｘＧｅｘ：Ｈ太陽電池は、μｃ − Ｓｉ：Ｈ太陽電池としての青色応答の許容可能な性能と共に、短絡電流密度（Ｊｓｃ）および曲線因子（ＦＦ）において有意な改善を示す。 Ｇｅ含有量ｘが０．３まで増加したときでも。最後に、μｃ − Ｓｉ ０．７ Ｇｅ ０．３：Ｈ太陽電池について７．０５％の改善された効率が達成される。 ソース：iopscience 詳細については、当社のWebサイトをご覧...
上へのGaSb膜成長の直交実験 GaAs基板 低圧有機金属化学気相成長（LP-MOCVD）システムを使用して設計され、実行されています。製造されたフィルムの結晶度および微細構造は、最適な成長パラメータを達成するために比較的分析された。 最適化されたＧａＳｂ薄膜は、（００４）ωロッキングカーブの半値全幅（３５８秒角）、および約６ｎｍの低い二乗平均平方根粗さを有する滑らかな表面を有することが実証された。これはヘテロエピタキシャル単結晶膜の場合に典型的である。また、GaSb薄膜の層厚が転位密度に及ぼす影響をラマンスペクトルにより調べた。我々の研究は製造のための貴重な情報を提供できると信じられています。 高結晶性GaSb膜 そして、主流の性能を有する電子装置上に製造された中赤外線装置の集積確率を促進することができる。 ソース：iopscience のような私達の良質プロダクトについてのより多くの情...
均質材料の場合、ほとんどニュートンのアルゴリズムに基づいた数値最適化プロセスに関連する超音波浸漬法は、様々な合成および天然複合材料の弾性定数の決定を可能にします。それにもかかわらず、考慮されている材料が同次仮説の限界にあるとき、既存の最適化手順の主な制限が生じる。これは、織物双方向ＳｉＣマトリックスの場合である。 SiC繊維 複合材料。 本研究では、2次元SiCの弾性定数を決定するための2つの数値解析法を開発した。 SiC複合材料 （２Ｄ ＳｉＣ ／ ＳｉＣ）。最初のものはニュートンのアルゴリズムに基づいています：弾性定数は実験と計算された速度の間の平方偏差を最小にすることによって得られます。 2番目の方法は、Levenberg-Marquardtアルゴリズムに基づいています。我々は、これらのアルゴリズムが均質異方性複合材料の場合に同じ結果を与えることを示す。 ２Ｄ ＳｉＣ ／ ＳｉＣ複合...
直接接合の上に成長させた1.5aμmGaInAsPレーザダイオード（LD）の接合温度依存レーザ発振特性 InP基板 または Si基板 正常に取得されました。私達は作りました InP 基板 ３５０、４００、および４５０℃の接合温度で直接親水性ウェハ接合技術を使用し、または堆積されたＧａＩｎＡｓＰまたは InP二重ヘテロ構造層 このＩｎＰ ／ Ｓｉ基板上に。成長後の表面状態、Ｘ線回折（ＸＲＤ）分析、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル、および電気的特性をこれらの結合温度で比較した。これらの接合温度におけるＸ線回折分析およびＰＬスペクトルに有意差は確認されなかった。 350℃と400℃で接合したInP / Si基板上にGaInAsP LDの室温レーザ発振を実現した。しきい値電流密度は、３５０℃で４．６５ｋＡ ／ ｃｍ ２、４００℃で４．３８ｋＡ ／ ｃｍ ２であった。電気抵抗はアニーリング温度...
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