高性能な炭化ケイ素（ SiC ）パワーデバイスでは、p型SiCに対する低抵抗オーミックコンタクトを開発する必要があります。オーミック接触抵抗を減少させるためには、金属/ SiC界面における障壁高さの減少またはSiC基板におけるドーピング濃度の増加が必要である。障壁高さの低減は極めて困難であるため、Alドーピング濃度の増加は 4H-SiC イオン打ち込み技術によって打ち負かされた。 Ti / AlおよびNi / Ti / Al金属（スラッシュ「/」記号は堆積シーケンスを示す）をAlイオン注入SiC基板上に堆積させた。実験的および理論的接触抵抗を比較することにより、金属/ SiC界面を通る電流輸送メカニズムは熱イオン電界放出であると結論づけられ、障壁高さは約0.4eVと決定された。 4H-SiCのAlドーピング濃度を増加させると正孔濃度が増加するが、透過型電子顕微鏡で注入されたSiC層に観察さ...
本論文では、完全結合三次元電気熱デバイスシミュレータを用いて、高電流動作時の平面劣化 G a N系発光ダイオード （LED）。特に、より厚い導電性GaN基板を用いた効率低下の改善が実証されている。第1に、薄い導電性GaN基板内の局所ジュール加熱は、内部量子効率（IQE）を低下させ、直列抵抗を増加させることが分かった。 次に、より厚い導電性GaN基板および基板内の電流密度および温度のシミュレートされた分布を導入した。その内部の最大電流密度は、 GaN基板 100μmの厚さの基板では、5μmの厚さの基板に比べて約6倍減少する。したがって、最大接合部温度が低下し、IQEおよび駆動電圧が向上します。本研究では、厚いGaN基板が高電流動作で平面LEDの特性を改善するのに有効であることを証明している。 出典：IOPscience もっと詳しく GaN系LEDエピタキシャルウエハ 、 中国ガリウム窒化物...
低温成長 GaAs (LT-GaAs)を用いた光伝導アンテナ (PCA) の効率を改善しました。LT-GaAs光伝導層の物性が、テラヘルツ（THz）波の発生・検出特性に大きく影響することがわかりました。THz 発生では、高い光励起キャリア移動度とLT-GaAs内の少数の As クラスターの存在が2 つの重要な要素です。検出では、キャリア寿命が短く、 LT-GaAsに多結晶構造が存在しない重要な要因です。これらの物理的特性を最適化することにより、THz の生成と検出の合計ダイナミック レンジを、従来の市販の PCA よりも 15 dB 改善しました。さらに、半絶縁性 GaAs (SI-GaAs) 基板を、THz 領域での吸収が少ない Si 基板に置き換えました。我々は、Si基板上に絶縁性の高いAl0.5Ga0.5Asバッファ層を含むという新しいアイデアを提案しました。最後に、Si基板を使用し...
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