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GaAsまたはInPウェハ上にエピタキシャル成長

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  • InGaAsN epitaxially on GaAs or InP wafers

    PAM-XIAMEN provides InGaAsN epitaxially on GaAs or InP wafers as follows: Layer Doping Thickness (um)                        Remark GaAs   undoped ~500   <001> wafer substrate   InGaAsN*   undoped                  0.150                   band gap <1 eV     Al(0.3)Ga(0.7)As  undoped 0.5         GaAs   undoped 2         Al(0.3)Ga(0.7)As   undoped  0.5           ITEM x/y Doping carrier conc.(cm3) Thickness（um） wave length(um) Lattice mismatch InAs(y)P 0.25 none 5.0*10^16 1.0 -   In(x)GaAs 0.63 none 1.0*10^17 3.0 1.9 600<>600 InAs(y)P 0.25 S 1.0*10^18 205.0 -   InAs(y)P 0.05->0.25 S 1.0*10^18 4.0 -   InP - S 1.0*10^18 0.3 -  

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