自宅 / ニュース /

半導体CdZnTe単結晶の化学機械研磨とナノメカニクス

ニュース

カテゴリ

おすすめ商品

最新ニュース

半導体CdZnTe単結晶の化学機械研磨とナノメカニクス

2019-03-05

(1 1 1)、(1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te および (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te の修正垂直ブリッジマン法で成長させた寸法 10 mm × 10 mm × 2.5 mm の半導体ウェーハを2 ~ 5 µm の多角形の Al2O3 粉末溶液を使用し、その後、表面粗さ Ra 2.135 nm、1.968 nm、および 1.856 nm に相当する直径約 5 nm のナノ粒子を含む酸溶液で化学機械研磨します。(1 1 1)、(1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te および (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te 単結晶の硬度と弾性率は 1.21 GPa、42.5 GPa です。1.02GPa、44.0GPa; それぞれ1.19 GPa、43.4 GPa。ベルコビッチナノインデンターによるナノ切削加工により、(1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te 単結晶の表面粗さ Ra は 0.215 nm の超平滑面を実現しました。3種類の硬度と弾性率CdZnTe単結晶は、押し込み荷重の増加とともに減少します。ナノインデンターが結晶の表面から離れると、3 種類の単結晶の付着効果が明らかになります。これは、ナノスケール レベルでの CdZnTe 材料のプラスチック付着挙動に起因します。3 種類のCdZnTe 単結晶の押し込み荷重が 4000 ~ 12 000 μN の範囲にある場合、ナノインデンターに付着した CdZnTe 材料が表面に落ち、ナノインデンテーションの周りに蓄積します。


出典:IOPサイエンス

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください:  www.semiconductorwafers.net ,

sales@powerwaywafer.com および powerwaymaterial@gmail.comに電子メールをお送りください。 


お問い合わせ

当社製品に関する見積もりや詳細情報を希望される場合は、私たちにメッセージを残して、できるだけ早く返信します。