2020-03-17
2020-03-09
AlGaN/ GaN膜は、炭化Si(111)基板上に成長し、残留Ga原子などの不純物が反応してSi基板の表面を劣化させるのを防ぐために使用されました。この炭化Si基板を用いることにより、有機金属化学気相成長法(MOCVD)における流路の洗浄工程を効果的に省くことができ、高品質のAlGaN/GaN膜が得られました。
出典:IOPサイエンス
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください: www.semiconductorwafers.net ,
angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.comにメールを送ってください。