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炭化Si基板上へのAlGaN/GaN成長に関する研究

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炭化Si基板上へのAlGaN/GaN成長に関する研究

2019-02-26

AlGaN/ GaN膜は、炭化Si(111)基板上に成長し、残留Ga原子などの不純物が反応してSi基板の表面を劣化させるのを防ぐために使用されました。この炭化Si基板を用いることにより、有機金属化学気相成長法(MOCVD)における流路の洗浄工程を効果的に省くことができ、高品質のAlGaN/GaN膜が得られました。


出典:IOPサイエンス

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