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ガンベースのエピタキシャルウェーハ
pam-xiamenのガリウム（窒化ガリウム）ベースのエピタキシャルウェーハは、超高輝度青色および緑色発光ダイオード（led）およびレーザダイオード（ld）アプリケーション向けです。 -
ガン・ヘムエピタキシャル・ウェーハ
窒化ガリウム（GaN）半田（高電子移動度トランジスタ）は、次世代のRFパワートランジスタ技術であり、ガン技術には感謝している。パム - シャーマンはサファイアまたはシリコン上にalgan / gan hemtエピウェハを、サファイアテンプレート上にはalgan / 。 -
ガウスエピウェーハ
私たちは、mbeまたはmocvdによって成長されたga、al、in、as、およびpに基づいて、さまざまなタイプのエピウェーハのIII-Vシリコンドープn型半導体材料を製造しています。我々は、お客様の仕様を満たすためにカスタム構造を提供しています。詳細についてはお問い合わせください。 -
エピタキシャルシリコンウェーハ
シリコンエピタキシャルウェーハ（エピウェーハ）は、単結晶シリコンウェーハ上に堆積された単結晶シリコンの層である（注：高度にドープされた単結晶シリコンウェーハの上に多結晶シリコン層の層を成長させることができるが、バルクSi基板と上部エピタキシャル層との間のバッファ層（例えば、酸化物またはポリSi）ホットタグ : エピシリコンウエハ エピタキシャルシリコンウェーハ エピタキシャルウェーハ製造業者 エピウェーハメーカー シリコンオンインシュレータ
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