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  • gan on silicon

    フリースタンディングガーン基質

    pam-xiamenは、uhb-ledとldのためのフリースタンディング(窒化ガリウム)基板ウェーハ用の製造技術を確立しました。水素化物気相エピタキシー(hvpe)技術によって成長させると、我々のgan基板は欠陥密度が低い。

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  • sic crystal

    基板

    pam-xiamenは、研究者のために品質の異なる半導体炭化シリコンウェーハ、6時間および4時間を提供します 業界の製造元。我々は、結晶成長技術と結晶ウエハ加工技術を開発しており、 ganエピタキシーデバイス、パワーデバイス、およびデバイスに適用される製造元の基板への生産ラインを確立しました。 高温装置およびオプトエレクトロニクス装置である。大手メーカーから先進的な分野の投資を受けたプロの企業として ハイテクの材料研究と州の研究所と中国の半導体ラボでは、私たちは常に 現在の基板の品質を改善し、大きなサイズの基板を開発する。

    ホットタグ : 4h 6h シリコンウェーハ 炭化ケイ素ウエハー 炭化ケイ素基板 シリコンウェーハ価格

  • GaAs crystal

    ガウス(ガリウム砒素)ウェーハ

    pwamは、化合物半導体基板 - ガリウム砒素結晶とウェーハを開発し、製造しています。我々は高度な結晶成長技術、垂直グラジエントフリーズ(vgf)およびガーウェーハ処理技術を使用し、結晶成長、切断、研磨から研磨加工、ウェハ洗浄およびパッケージング用の100クラスクリーンルーム。当社のガース・ウェーハには、LED、LD、マイクロエレクトロニクス・アプリケーション用の2〜6インチ・インゴット/ウェーハが含まれています。現在、サブステートの品質を向上させ、大型基板を開発することに専念しています。

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  • Germanium substrate

    Ge(ゲルマニウム)単結晶およびウェーハ

    pamは半導体材料、vgf / lecで成長した単結晶(Ge)ゲルマニウム・ウェーハ

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  • CZT

    cdznte(czt)ウェハ

    テルル化カドミウム亜鉛(cdznteまたはczt)は、赤外線薄膜エピタキシ基板、X線検出器およびガンマ線検出器、レーザ光変調、高性能太陽電池およびその他のハイテク分野で使用されています。

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  • Silicon Wafer

    cz単結晶シリコン

    cz-シリコン 重く/軽くドープされたcz単結晶シリコンは、様々な集積回路(IC)、ダイオード、三極、緑色エネルギー太陽電池パネルの製造に適している。特別な構成要素のための高効率、耐放射線性および反変性太陽電池材料を製造するために特別な要素(例えば、ga、ge)を加えることができる。

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  • InP substrate

    inpウェハ

    xiamen powerwayは、異なる配向(111)または((111)または(111)のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec(液体封入チョクラルスキー)またはvgf 100)。

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