PAM XIAMENはのエピタキシャル成長を提供します AlGaN / GaNベース Siウエハ上のHEMT

最近、GaNエピタキシャルウエハの大手サプライヤであるPAM XIAMENは、「6インチシリコンオンシリコン（GaN-on-Si）エピタキシャルウエハ」の開発に成功し、6インチサイズの量産を開始したと発表した。

PAM XIAMENは第3世代の半導体に有効

に 開発の機会を広げて把握するために ワイドバンドギャップ化合物 半導体材料 （すなわち第三世代 半導体材料）業界では、PAM XIAMENは研究に投資してきました 継続的な開発、データはPAM XIAMENが主に従事していることを示しています 特に半導体材料の設計、開発、製造 窒化ガリウム（GaN）エピタキシャル材料 、 アビオニクスにおける関連材料の応用、5G通信、 モノのインターネットおよびその他の分野、会社の改善と充実 工業用チェーン

から 創業以来、PAM XIAMENはラティスの技術的困難を克服してきました ミスマッチ、大規模エピタキシャル応力制御、および高電圧GaNエピタキシャル GaNとSi材料間の成長、および首尾よく8インチを開発しました 世界をリードするシリコンベースの窒化ガリウムエピウエハ そして、6インチサイズのウエハは量産中で、私たちの一般的な構造は 次のようになりました。

チャート 1：Dモード

チャート2：Eモード

それ このタイプのエピタキシャルウエハは高電圧を達成する 高い結晶品質、高い均一性を維持しながら650V / 700Vの抵抗 そしてエピタキシャル材料の高い信頼性。それは完全にアプリケーションを満たすことができます 業界での高電圧パワーエレクトロニクスデバイスの要件。

によると PAM XIAMENに、国際業界の厳しいを採用する場合 基準、PAM XIAMENによって開発されたエピタキシャルウエハは性能上の利点があります 材料の面で、力学、電気、耐電圧、高い 温度抵抗、および長寿命。 5G通信、クラウドの分野で 計算、急速な充満源、無線充満、等、それは保障できます 関連材料および技術の安全で信頼性の高い用途。

アモイパワーウェイについて アドバンストマテリアル株式会社

見つかった 1990年に、アモイパワーウェイアドバンストマテリアル株式会社（PAM-XIAMEN）、大手 のメーカー ワイドバンドギャップ（WBG）半導体 素材 中国では、その事業はGaNをカバーするGaN材料を含む 基板、 AlGaN / GaN HEMTエピ 炭化ケイ素/ケイ素/サファイア基板上のウェーハ （クリックして読みます GaN HEMTエピタキシャルウエハ 詳細）

Q＆amp; A

Q：何を教えてください。 dモードとeモードのウェーハの違いは？

A：2つの主な違いがあります ポイント：1 /バリア構造、Dモードの典型的な値はAlGaN〜21nm、Al％〜25％、

Eモード2 / E-HEMTではAlGaNが18nm以下、Alが20％以下ですが、完全な2DEGには100nm以下のP-GaNがあります。

Q：私達は両方に取り組むことを計画しています デバイスの種類だから私は私の同僚とこれについて議論します。

これらのウェーハの違いについて教えてください。

EモードとDモードのウェーハのエピの違いは何でしょうか。

これは私をもっと助けます。ところで600V動作用のデータはありますか それらのウェーハで

A： 600V動作の場合は、Dモードが推奨されます。

Q：1つの表面を測定しました 私達のAFMのサンプル、表面はあなたの測定とspecにあります。それは気づくことが可能であるので問題は表面の下にあります 滑らかな表面ではありません。

A：おそらくあなたの言うことは理解できます つまり、光学的条件下では、表面粗さが二次元電子ガスに影響を与えるということです。 機動性？

一般に、我々のサンプル移動度は＞ １５００ｃｍ ２ ／ Ｖｓである。私たちはバッチをやります 今回出荷されたサンプルの同じバッチを含む来週のホールテストの、そして私達は送る ホールデータが要件を満たしていない場合は、弊社が協力します。 次の仕事をします。

また、用途が2つあることを簡単に紹介します。 顧客需要の同様のサンプルの場合：1.パワーデバイス2. RF デバイスＲＦ装置は高い材料耐電圧を必要としないが、電力装置は高レベルを必要とする。パワーデバイスの場合 Cドーピング技術を採用しているので、結晶品質はRFデバイスほど良くありません。 比較的荒いです。両方の

これらのサンプルは提供することができます。次回は、ご相談ください 基板の導電性、耐圧層に使用される材料、 二乗抵抗移動度には特定の要件があります。

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