室温で低磁場下で大きな磁気抵抗効果（mr）を得ることは、半導体ベースのデバイスにとって依然として大きな課題である。この論文では、室温での異なる照射強度下での光誘起mr効果を、 半絶縁ガリウム砒素 （ si-gaas ）ベースのag / si-gaas / agデバイス。装置は、約395nm-405nmの範囲の波長を有する発光ダイオード（led）ランプビーズによって供給される光の照射を受け、各LEDランプビードの作動力は約33mwである。 光誘起mrは磁場（b）1tまで飽和せず、低磁場（b = 0.001t）のmr感度s（s = mr / b）は15t-1に達することができる。光誘起電子と正孔の再結合は陽性の光誘起mr効果をもたらすことが見出されている。このことは、真性キャリア濃度が非常に低い非磁性半導体デバイスにおいて、低磁場下で光誘起された高い光誘起が得られることを意味する。 ソース：i...
3インチのFeドープの転位密度を減少させるプロセス inpウェーハ 説明する。結晶成長プロセスは、従来の液体封入チョクラルスキー（lec）であるが、成長する結晶の熱勾配を減少させるために熱シールドが追加されている。これらのシールドの形状は、熱伝達および熱機械的応力の数値シミュレーションの助けを借りて最適化されています。 このプロセスは、計算と実験との間の連続フィードバックを用いて段階的に実施されている。熱応力の50％低減が得られている。エッティングピット密度（epd）およびX線回折（xrd）マッピングによって転位密度に及ぼすこれらの改良の影響が調査されている：転位密度は、特に結晶の上部で著しく減少している（70,000から40,000cm- 2）ので、マイクロエレクトロニクスアプリケーションの仕様に適合します。 sドープ3インチウェハについても同様の改善が得られている。 ソース：iopsc...
inasセグメントは、シリコン基板上に液滴エピタキシによって最初に形成されたガーランド島の上で成長した。我々は、inas堆積のための成長パラメータ空間を系統的に探究し、選択成長の条件を同定した ガウス 純粋に軸方向の成長のために。軸方向のinasセグメントは、下側のガウスベースの島と比較して、その側壁を30°回転させて形成した。シンクロトロンX線回折実験により、 inas セグメントは、ガーネットの上で緩やかに成長し、主に閃亜鉛鉱型の結晶構造および積層欠陥を有する。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com...
酸素析出物の密度と光散乱強度が czシリコン 結晶は赤外光散乱トモグラフィーによって測定される。測定により明らかになった数値データを酸素析出量との関連で考察する。ここで得られた結果は、酸素析出物が光を散乱させるという理論的分析とよく一致している。赤外光散乱トモグラフィーによって得られた情報は、czシリコン結晶中の酸素の析出過程を非常によく説明し、この方法によって得られた析出物の密度は信頼できるものである。 ソース：iopscience 窒化ケイ素結晶構造、窒化ケイ素結晶構造、 炭化ケイ素ウエハー 私たちのウェブサイトをご覧ください： 、 私達に電子メールを送ってください または...
高性能な炭化ケイ素（ SiC ）パワーデバイスでは、p型SiCに対する低抵抗オーミックコンタクトを開発する必要があります。オーミック接触抵抗を減少させるためには、金属/ SiC界面における障壁高さの減少またはSiC基板におけるドーピング濃度の増加が必要である。障壁高さの低減は極めて困難であるため、Alドーピング濃度の増加は 4H-SiC イオン打ち込み技術によって打ち負かされた。 Ti / AlおよびNi / Ti / Al金属（スラッシュ「/」記号は堆積シーケンスを示す）をAlイオン注入SiC基板上に堆積させた。実験的および理論的接触抵抗を比較することにより、金属/ SiC界面を通る電流輸送メカニズムは熱イオン電界放出であると結論づけられ、障壁高さは約0.4eVと決定された。 4H-SiCのAlドーピング濃度を増加させると正孔濃度が増加するが、透過型電子顕微鏡で注入されたSiC層に観察さ...
ザ SiCおよびGaNパワー半導体市場の開発 SiC技術と市場の現状、そして 今後数年間の開発動向 SiCデバイス市場は有望です。ショットキーバリアの販売 ダイオードは成熟し、MOSFET出荷は大幅に増加すると予想されている 今後3年間でYoleDéveloppementのアナリストによると、SiCは ダイオードに関しては非常に成熟しており、GaNはSiC MOSFETにはまったくチャレンジしていません 1.2kV以上の電圧で動作します。 GaNは650VのSiC MOSFETと競合する可能性があります SiCはより成熟しています。 SiCの販売は急速に伸び、 SiCはシリコンパワーデバイス市場から市場シェアを獲得し、 今後数年間に化合物の成長率は28％に達すると予測している。 IHS Markitは、SiC産業が ハイブリッドやハイブリッドなどのアプリケーションの成長に 電気自動車、パワ...
本論文では、完全結合三次元電気熱デバイスシミュレータを用いて、高電流動作時の平面劣化 G a N系発光ダイオード （LED）。特に、より厚い導電性GaN基板を用いた効率低下の改善が実証されている。第1に、薄い導電性GaN基板内の局所ジュール加熱は、内部量子効率（IQE）を低下させ、直列抵抗を増加させることが分かった。 次に、より厚い導電性GaN基板および基板内の電流密度および温度のシミュレートされた分布を導入した。その内部の最大電流密度は、 GaN基板 100μmの厚さの基板では、5μmの厚さの基板に比べて約6倍減少する。したがって、最大接合部温度が低下し、IQEおよび駆動電圧が向上します。本研究では、厚いGaN基板が高電流動作で平面LEDの特性を改善するのに有効であることを証明している。 出典：IOPscience もっと詳しく GaN系LEDエピタキシャルウエハ 、 中国ガリウム窒化物...
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