2020-03-17
2020-03-09
ハイライト
・多孔質のガンテンプレートを、電気化学的および光電気化学的エッチングスキームによって調製した。
・ingan / gan発光ダイオード（led）構造が、エッチングされたガンテンプレート上に成長した。
•過剰に成長したganフィルムおよびledは、より低い歪みおよび表面欠陥密度を示した。
•過剰成長したLED構造は、エレクトロルミネッセンス効率を向上させた。
電気化学エッチング（ece）と裏面光電気化学エッチング（pece）とを組み合わせ、gan膜とインガン/ガーン多重量子井戸（mqw）発光ダイオード（led）構造の過成長を行った。構造、発光、および電気的性質を研究し、同じ条件下で成長させた構造物の特性と、エースピース処理を施さないテンプレートについて比較した。 ece-peceテンプレート上のリード構造の過成長は、ひずみ、ひび割れおよびマイクロピットを減少させ、内部量子効率および光取り出し効率を増加させた。この発光増強は、成長したgan膜で観察されたが、qwsにおける圧電分極場の抑制のために、インガン/ガン（gan led）構造についてより顕著であった。
キーワード
電気化学エッチング;光電気化学エッチング;多孔質ガン;発光ダイオード
ソース：sciencedirect
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