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電気化学的および光電気化学的エッチングを組み合わせた多孔質ガーンテンプレート上に成長させたガンフィルムおよびガン/インジェン発光ダイオードの電気的および構造的特性

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電気化学的および光電気化学的エッチングを組み合わせた多孔質ガーンテンプレート上に成長させたガンフィルムおよびガン/インジェン発光ダイオードの電気的および構造的特性

2017-11-03

ハイライト

・多孔質のガンテンプレートを、電気化学的および光電気化学的エッチングスキームによって調製した。

・ingan / gan発光ダイオード(led)構造が、エッチングされたガンテンプレート上に成長した。

•過剰に成長したganフィルムおよびledは、より低い歪みおよび表面欠陥密度を示した。

•過剰成長したLED構造は、エレクトロルミネッセンス効率を向上させた。


電気化学エッチング(ece)と裏面光電気化学エッチング(pece)とを組み合わせ、gan膜とインガン/ガーン多重量子井戸(mqw)発光ダイオード(led)構造の過成長を行った。構造、発光、および電気的性質を研究し、同じ条件下で成長させた構造物の特性と、エースピース処理を施さないテンプレートについて比較した。 ece-peceテンプレート上のリード構造の過成長は、ひずみ、ひび割れおよびマイクロピットを減少させ、内部量子効率および光取り出し効率を増加させた。この発光増強は、成長したgan膜で観察されたが、qwsにおける圧電分極場の抑制のために、インガン/ガン(gan led)構造についてより顕著であった。

キーワード

電気化学エッチング;光電気化学エッチング;多孔質ガン;発光ダイオード


ソース:sciencedirect


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