2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerwayは、エピタキシャルまたはメカニカルグレードのn型、p型または半絶縁性の異なる（111）または（100）のlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたヒ化インジウム - インジウムを提供しています。
xiamen powerwayは、エピタキシャルまたはメカニカルグレードのn型、p型または半絶縁性の異なる（111）または（100）のlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたヒ化インジウム - インジウムを提供しています。
インジウム砒素は、インジウムとヒ素からなる半導体である。融点が942℃の灰色の立方体の結晶が現れています。[2]インジウム・ヒ素は赤外線検出器の構築に使用され、波長範囲は1~3.8μmです。検出器は通常光起電フォトダイオードである。低温冷却された検出器は、より低いノイズを有するが、検出器は室温でもより高出力の用途に使用することができる。インジウム砒素はダイオードレーザの製造にも使用される。
砒化ガリウムは砒化ガリウムに類似しており、直接バンドギャップ材料である。インジウム砒素はインジウム燐と一緒に使用されることがあります。ガリウム砒素と合金化されており、インジウムガリウム砒素を形成する。インジウムガリウム砒素は、In / Ga比に依存するバンドギャップを有する材料であり、インジウム窒化ガリウムを生成するために窒化インジウム窒化物を合金化することに主に類似した方法である。
| ウェーハ仕様 | |
| 項目 | 仕様 |
| ウェハ直径 | 2 "50.5±0.5mm 3 "76.2±0.4mm |
| 結晶方位 | （100）±0.1° |
| 厚さ | 2 "500±25um 3 "625±25um |
| 一次フラット長 | 2 "16±2mm 3 "22±2mm |
| 二次フラット長 | 2 "8±1mm 3 "11±1mm |
| 表面仕上げ | p / e、p / p |
| パッケージ | エピレディー、シングルウェーハコンテナまたはcfカセット |
| 電気およびドーピング仕様 | |||||
| 導電型 | n型 | n型 | n型 | p型 | p型 |
| ドーパント | 未払い | 低硫黄 | 高硫黄 | 低亜鉛 | 高亜鉛 |
| e.d.p cm -2 | 2 " ≤ 15,000 3 " ≤ 50,000 |
||||
| 移動度cm²v -1 s -1 | ≥ 23000 | 25000-15000 | 12000-7000 | 350-200 | 250〜100 |
| キャリア濃度cm -3 | （ 1-3 ） * 10 16 | （ 4-8 ） * 10 16 | （ 1-3 ） * 10 18 | （ 1-3 ） * 10 17 | （ 1-3 ） * 1018 |
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性を有するepi-readyまたは機械的グレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたインビボウェーハ - インジウムアンチモンを提供する。
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（（111）または（111）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）またはvgf 100）。
厦門 パワーウェイは、ギャップウェーハ - リン化ガリウム（lec）（液体 カプセル化されたチョクラルスキー）を、エピ型またはメカニカルグレードのn型、p型 （111）または（100）で半絶縁性であってもよい。
xiamen powerwayは、異なる向き（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体カプセル化されたチョクラルスキー）
pam-xiamenのガリウム（窒化ガリウム）ベースのエピタキシャルウェーハは、超高輝度青色および緑色発光ダイオード（led）およびレーザダイオード（ld）アプリケーション向けです。
私たちは、mbeまたはmocvdによって成長されたga、al、in、as、およびpに基づいて、さまざまなタイプのエピウェーハのIII-Vシリコンドープn型半導体材料を製造しています。我々は、お客様の仕様を満たすためにカスタム構造を提供しています。詳細についてはお問い合わせください。11
cz-シリコン 重く/軽くドープされたcz単結晶シリコンは、様々な集積回路（IC）、ダイオード、三極、緑色エネルギー太陽電池パネルの製造に適している。特別な構成要素のための高効率、耐放射線性および反変性太陽電池材料を製造するために特別な要素（例えば、ga、ge）を加えることができる。11
fz-シリコン フロートゾーン法により、異物含有率が低く、欠陥密度が低く、完全な結晶構造を有する単結晶シリコンが製造される。結晶成長中に異物が導入されない。 fzシリコンの導電率は通常1000Ωcm以上であり、fzシリコンは主に高逆電圧素子および光電子デバイスの製造に使用されます。11
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