2020-03-17
2020-03-09
moq :
1xiamen powerwayは、異なる方位（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長されたギャップウェーハ - ガリウムリンを提供する。
ガリウムのリン化物であるリン化ガリウム（隙間）は、間接バンドギャップが2.26ev（300k）の化合物半導体材料である。多結晶質材料は薄いオレンジ色の外観を有する。ドープされていない単結晶ウェハは透明オレンジ色に見えるが、強くドープされたウェハは自由キャリア吸収のために暗く見える。それは無臭であり、水に不溶である。硫黄またはテルルがn型半導体を製造するドーパントとして使用される。亜鉛は、p型半導体のためのドーパントとして使用される。リン化ガリウムは、光学系に応用されている。その屈折率は、262nm（uv）で4.30、550nm（緑）で3.45、840nm（ir）で3.19である。
| ギャップウェーハと基板のスペック | |
| 導電型 | n型 |
| ドーパント | sドープ |
| ウェハ直径 | 5 0.8±0.5mm |
| 結晶方位 | （111）+/- 0.5° |
| 平らな方向 | 111 |
| 平らな長さ | 17.5±2mm |
| キャリア濃度 | （2-7）×10 ^ 7 / cm3 |
| rtでの抵抗率 | 0.05-0.4ohm.cm |
| 移動性 | u003e 100cm²/ v.sec |
| エッチピット密度 | u003c 3 * 10 ^ 5 /cm² |
| レーザーマーキング | 要求に応じて |
| フェイスフィッシュ | p / e |
| 厚さ | 250 +/- 20um |
| エピ準備完了 | はい |
| パッケージ | 枚葉式容器またはカセット |
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性を有するepi-readyまたは機械的グレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたインビボウェーハ - インジウムアンチモンを提供する。
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（（111）または（111）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）またはvgf 100）。
xiamen powerwayは、エピタキシャルまたはメカニカルグレードのn型、p型または半絶縁性の異なる（111）または（100）のlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたヒ化インジウム - インジウムを提供しています。
xiamen powerwayは、異なる向き（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体カプセル化されたチョクラルスキー）
窒化ガリウム（GaN）半田（高電子移動度トランジスタ）は、次世代のRFパワートランジスタ技術であり、ガン技術には感謝している。パム - シャーマンはサファイアまたはシリコン上にalgan / gan hemtエピウェハを、サファイアテンプレート上にはalgan / 。
シリコンエピタキシャルウェーハ（エピウェーハ）は、単結晶シリコンウェーハ上に堆積された単結晶シリコンの層である（注：高度にドープされた単結晶シリコンウェーハの上に多結晶シリコン層の層を成長させることができるが、バルクSi基板と上部エピタキシャル層との間のバッファ層（例えば、酸化物またはポリSi）11
pam-xiamenは、uhb-ledとldのためのフリースタンディング（窒化ガリウム）基板ウェーハ用の製造技術を確立しました。水素化物気相エピタキシー（hvpe）技術によって成長させると、我々のgan基板は欠陥密度が低い。
pam-xiamenは、czt平面検出器、czt画素検出器、czt co-planar griなどのシンチレーション結晶ベースの検出器に比べて優れたエネルギー分解能を持つX線またはガンマ線の固体検出器技術によってcztベースの検出器を提供します
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