2020-03-17
2020-03-09
moq :
1xiamen powerwayは、異なる方位（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長されたギャップウェーハ - ガリウムリンを提供する。
ガリウムのリン化物であるリン化ガリウム（隙間）は、間接バンドギャップが2.26ev（300k）の化合物半導体材料である。多結晶質材料は薄いオレンジ色の外観を有する。ドープされていない単結晶ウェハは透明オレンジ色に見えるが、強くドープされたウェハは自由キャリア吸収のために暗く見える。それは無臭であり、水に不溶である。硫黄またはテルルがn型半導体を製造するドーパントとして使用される。亜鉛は、p型半導体のためのドーパントとして使用される。リン化ガリウムは、光学系に応用されている。その屈折率は、262nm（uv）で4.30、550nm（緑）で3.45、840nm（ir）で3.19である。
| ギャップウェーハと基板のスペック | |
| 導電型 | n型 |
| ドーパント | sドープ |
| ウェハ直径 | 5 0.8±0.5mm |
| 結晶方位 | （111）+/- 0.5° |
| 平らな方向 | 111 |
| 平らな長さ | 17.5±2mm |
| キャリア濃度 | （2-7）×10 ^ 7 / cm3 |
| rtでの抵抗率 | 0.05-0.4ohm.cm |
| 移動性 | u003e 100cm²/ v.sec |
| エッチピット密度 | u003c 3 * 10 ^ 5 /cm² |
| レーザーマーキング | 要求に応じて |
| フェイスフィッシュ | p / e |
| 厚さ | 250 +/- 20um |
| エピ準備完了 | はい |
| パッケージ | 枚葉式容器またはカセット |
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性を有するepi-readyまたは機械的グレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたインビボウェーハ - インジウムアンチモンを提供する。
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（（111）または（111）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）またはvgf 100）。
xiamen powerwayは、エピタキシャルまたはメカニカルグレードのn型、p型または半絶縁性の異なる（111）または（100）のlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたヒ化インジウム - インジウムを提供しています。
xiamen powerwayは、異なる向き（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体カプセル化されたチョクラルスキー）
xiamen powerwayは、異なる向き（111）または（100）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体カプセル化されたチョクラルスキー）
pam-xiamenはフォトレジストでフォトレジスト板を提供 フォトリソグラフィー除去（ストリップ）、最終検査など、ナノリソグラフィー（フォトリソグラフィー）を提供することができます：フォトリソグラフィー、フォトレジスト塗布、ソフトベーク、アライメント、露光、現像、ハードベーク。11
pam-xiamenのテンプレート製品は、サファイア基板上に堆積された窒化ガリウム（gan）、窒化アルミニウム（aln）、窒化アルミニウムガリウム（algan）および窒化インジウムガリウム（ingan） シリコンカーバイドまたはシリコン・パーム・シャイアのテンプレート製品は、コスト、歩留まり、および性能においてデバイスを改善することができる、より良好な構造品質およびより高い熱伝導率を有する20〜50％短いエピタキシサイクル時間およびより高品質のエピタキシャルデバイス層を可能にする。11
xiamen powerwayは、異なる配向（111）または（（111）または（111）のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec（液体封入チョクラルスキー）またはvgf 100）。
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