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ギャップウェーハ

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厦門 パワーウェイは、ギャップウェーハ - リン化ガリウム(lec)(液体 カプセル化されたチョクラルスキー)を、エピ型またはメカニカルグレードのn型、p型 (111)または(100)で半絶縁性であってもよい。
  • 製品詳細

xiamen powerwayは、異なる方位(111)または(100)のn型、p型または半絶縁性のepi-readyまたはmechanicalグレードとしてlec(液体封入チョクラルスキー)によって成長されたギャップウェーハ - ガリウムリンを提供する。


ガリウムのリン化物であるリン化ガリウム(隙間)は、間接バンドギャップが2.26ev(300k)の化合物半導体材料である。多結晶質材料は薄いオレンジ色の外観を有する。ドープされていない単結晶ウェハは透明オレンジ色に見えるが、強くドープされたウェハは自由キャリア吸収のために暗く見える。それは無臭であり、水に不溶である。硫黄またはテルルがn型半導体を製造するドーパントとして使用される。亜鉛は、p型半導体のためのドーパントとして使用される。リン化ガリウムは、光学系に応用されている。その屈折率は、262nm(uv)で4.30、550nm(緑)で3.45、840nm(ir)で3.19である。


ギャップウェーハと基板のスペック
導電型 n型
ドーパント sドープ
ウェハ直径 5 0.8±0.5mm
結晶方位 (111)+/- 0.5°
平らな方向 111
平らな長さ 17.5±2mm
キャリア濃度 (2-7)×10 ^ 7 / cm3
rtでの抵抗率 0.05-0.4ohm.cm
移動性 u003e 100cm²/ v.sec
エッチピット密度 u003c 3 * 10 ^ 5 /cm²
レーザーマーキング 要求に応じて
フェイスフィッシュ p / e
厚さ 250 +/- 20um
エピ準備完了 はい
パッケージ 枚葉式容器またはカセット

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