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ガンベースのエピタキシャルウェーハ

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ガンベースのエピタキシャルウェーハ

ガンベースのエピタキシャルウェーハ

pam-xiamenのガリウム(窒化ガリウム)ベースのエピタキシャルウェーハは、超高輝度青色および緑色発光ダイオード(led)およびレーザダイオード(ld)アプリケーション向けです。


  • 製品詳細

ガリウム(窒化ガリウム)ベースのエピタキシャルウェーハ


我々は提供していますリードウェーハの製造元として、我々は、LEDや超薄型ウェーハやUV ledの研究やledの製造元などのLEDやレーザーダイオード(ld)アプリケーションのためのledウェーハを提供しています。それはpssまたはフラットサファイア液晶バックライト、インバン/ガンアクティブエリアを含む青色または緑色または赤色の発光を有する、電子、モバイル、電子または紫外線(紫外線)を含む、


gan on al2o3-2 "epiウェーハ仕様(ledエピタキシャルウェーハ)


UV  led:365nm、405nm

445 460nm

465 475nm

510 530nm


1.成長技術 - mocvd

2.ウェハ直径:50.8mm

3.ウェハ基板材料:パターン化されたサファイア基板(Al 2 O 3)

4.パターンパターンサイズ:3x2x1.5μm

5.ウェハ構造:


構造層

厚さ(μm)

Pガン

0.2

P-アルガン

0.03

ingan / gan(アクティブ  エリア)

0.2

Nガン

2.5

ウガン

3.5

al2o3  (基板)

430


チップを作るための6.waferパラメータ:


項目

チップサイズ

特性

外観

 

pam1023a01

10mil x 23mil

 

 

点灯

vf = 2.8~3.4v

液晶バックライト

po = 18〜25mw

モバイル  家電

wd =  450〜460nm

消費者  電子

pam454501

45mil x 45mil

vf = 2.8~3.4v

 

一般  点灯

po = 250〜300mw

液晶バックライト

wd = 450〜460nm

屋外  表示

*青色LEDチップの詳細情報が必要な場合は、営業部までお問い合わせください


7.エピタキシャルウェーハの応用:

点灯

液晶バックライト

モバイル機器

消費者向け電子



pam-xiamenのganベースのエピタキシャルウェーハ(epiウェーハ)は、超高輝度の青色および緑色発光ダイオード(led)用です。


ガウス(ガリウムヒ素)ベースのリードウェーハ:


gaas ledウェーハに関して、それらはmocvdによって成長され、以下のガウスウェーハの波長を参照してください。


赤色:585nm、615nm、620 630nm

黄色:587〜  592nm

黄色/緑色:  568〜573


これらのディテール・ガウスの主なウェーハ・スペックについては、 ガウスepiウエハーled


* 2インチgan(0001)基板またはサファイア基板上のレーザー構造が利用可能です。

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