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2.炭化ケイ素ウエハの寸法特性、用語および方法の定義
  • 2-1。ウェハ直径

    2018-01-08

    スライス中心を含む円形のスライスの表面を横切る線形距離であり、任意の平坦面または他の周辺の基準点を含まない。標準シリコンウェハの直径は、25.4mm、50.4mm、76.2mm、100mm、125mm、150mm、200mmです。 、および300mm(12インチ)。 ウェーハの表面にわたる線形寸法。測定は、個々のウェーハ上の認証されたデジタルキャリパーで手動で実行されます。

  • 2-2。ウェハの厚さ、中心点

    2018-01-08

    単結晶半導体のインゴットから切り出された単結晶半導体材料の円形スライス(厚さはウエハの直径に依存するが、典型的には1mm未満である)、半導体デバイスおよび集積回路の製造に使用される。ウェハの直径は、5mm〜300mmの範囲であり得る。 個々のウェーハの中心に安心して認証された非接触ツールで測定されます。

  • 2-3。平らな長さ

    2018-01-08

    インゴットごとに1枚のウェーハのサンプル上に、認定されたデジタルキャリパーで測定された±1の線形寸法。

  • 2-4。ウェーハの表面配向

    2018-01-08

    格子構造内の結晶面に対するウェーハの表面の向きを示す。 意図的に切断されたウェーハでは、切断方向は二次側から離れた一次側に平行である。 ウェーハの中心にある1つのインゴットにつき1つのウェーハのサンプル上のX線ゴニオメータで測定される。

  • 2-5ミスオリエンテーション

    2018-01-08

    意図的に「オフ・オリエンテーション」にカットされたウェーハでは、法線ベクトルのウェーハへの投影 {0001}面に投影し、最も近い\u003c11-20\u003e面の投影面上に投影する。方向。

  • 2-6。ウェーハ一次フラット

    2018-01-08

    ウェーハ上の最も長い長さのフラットであって、弦が特定の低屈折率結晶面と平行であるように配向されたものと、主要なフラット。 一次atは、\u003c11-20\u003e面に平行な面を有する{10-10}面である。方向。

  • 2-7。一次平面配向

    2018-01-08

    ウェーハ上で最も長い長さのχatは、弦が特定の低屈折率の結晶面と平行になるように配向される。手作業による角度測定を用いたラウンドバックリジェネレーション技術を使用してインゴットごとに1枚のウェーハ上で測定された。

  • 2-8セカンダリーフラットオリエンテーション

    2018-01-08

    一次方位atよりも短い長さのatは、一次方位atに対する位置がウェーハの面を識別する。

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