2020-03-17
2020-03-09
硫化アンモニウム（ＮＨ４）２Ｓ処理を用いたＧａＡｓのウェーハ結合を種々の構造について調べた。ｎ‐ＧａＡｓ／ｎ‐ＧａＡｓウエハ結合構造を用いたＩＩＩ‐Ｖ族太陽電池デバイスの電気伝導率に対するウエハオフカット角の影響を調べた。高分解能 x 線回折を使用して、結合したサンプルの方向のずれを確認します。さらに、GaAs 上にエピタキシャル成長させた pn 接合の電気特性を、n-GaAs/p-GaAs ウエハー結合構造と比較します。高分解能透過型電子顕微鏡 (HRTEM) および走査型透過型電子顕微鏡(STEM) を使用して、600°C RTP 後の相対的な方向ずれの範囲にわたって界面の形態を比較します。非晶質酸化物介在物に対する十分に結合した結晶領域の比率は、結合したすべてのサンプルで一貫しており、高温での界面再結晶化のレベルに方位差の程度が影響しないことを示しています。
出典:IOPサイエンス
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