pam-xiamenは、高品質のガリウムアンチモン（ガス）単結晶インゴットを成長させます。 我々はまた、ラウンド、切断、ラップと研磨ガスウェーハを見てepiレディ表面品質を供給することができます。 ガスバブ結晶は、6n純粋なgaおよびsb元素によって形成された化合物であり、epd＆lt; 0の液体封入チョクラルスキー（lec） 1000cm -3。ガスベブ結晶は、mbeまたはmocvdエピタキシャル成長に適した、電気的パラメータの高い均一性および低い欠陥密度を有する。 厳密またはオフの配向、低または高ドープ濃度および良好な表面仕上げで幅広い選択肢を有する「エピ準備完了」ガス製品があります。製品の詳細についてはお問い合わせください。 1）2 \"、3\"ガスボンベ 配向：（100）±0.5° 厚さ（μm）：500±25; 600±25 タイプ/ドーパント：p / undoped; p / s...
本論文では、非熱的方法による非極性（すなわち、m面およびa面）および半極性（すなわち、（20.1）面）ウェハの開発について概説する。成長方法および研磨結果について説明する。我々は、26mm×26mmの非極性および半極性のウエハを製造することに成功した。これらのウェーハは、104cm-3程度の貫通転位密度を有する顕著な構造的および光学的特性を有する。ホモエピタキシャル層およびアルガンヘテロ構造の詳細な研究も示され、オプトエレクトロニクスデバイスの製造における研究されたアモノサーマル基板の可能性を示している。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@g...
3インチのFeドープの転位密度を減少させるプロセス inpウェーハ 説明する。結晶成長プロセスは、従来の液体封入チョクラルスキー（lec）であるが、成長する結晶の熱勾配を減少させるために熱シールドが追加されている。これらのシールドの形状は、熱伝達および熱機械的応力の数値シミュレーションの助けを借りて最適化されています。 このプロセスは、計算と実験との間の連続フィードバックを用いて段階的に実施されている。熱応力の50％低減が得られている。エッティングピット密度（epd）およびX線回折（xrd）マッピングによって転位密度に及ぼすこれらの改良の影響が調査されている：転位密度は、特に結晶の上部で著しく減少している（70,000から40,000cm- 2）ので、マイクロエレクトロニクスアプリケーションの仕様に適合します。 sドープ3インチウェハについても同様の改善が得られている。 ソース：iopsc...
inasセグメントは、シリコン基板上に液滴エピタキシによって最初に形成されたガーランド島の上で成長した。我々は、inas堆積のための成長パラメータ空間を系統的に探究し、選択成長の条件を同定した ガウス 純粋に軸方向の成長のために。軸方向のinasセグメントは、下側のガウスベースの島と比較して、その側壁を30°回転させて形成した。シンクロトロンX線回折実験により、 inas セグメントは、ガーネットの上で緩やかに成長し、主に閃亜鉛鉱型の結晶構造および積層欠陥を有する。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com...
高引っ張り歪みサブ単層Geナノ構造 ガス 分子線エピタキシーにより成長させ、超高真空走査トンネル顕微鏡法によって研究した。 gasb上のGeナノ構造の4つの異なる被覆率が達成され、調査される。 gasb上のGeの成長が2d成長モードに従うことが見出される。サブ単層の結晶格子 ゲ ナノ構造は気体の構造とコヒーレントであり、Geナノ構造における引っ張り歪みが7.74％と大きいと推測される。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com...
本論文では、新しい3次元（3D） フォトリソグラフィー 繊維基材上の高解像度微細パターン形成技術のための技術。非平面表面のリソグラフィ技術に関する簡単な概説も提示されている。提案された技術は、主に、3D露光モジュールの微細加工と、ファイバ上の薄いレジスト膜のスプレー堆積とを含む。石英基板のウェットエッチングと投影露光法によって3d露光モジュールがうまく準備される。 3D露光モジュールの主な利点は、長寿命、低コスト、狭い印刷ギャップ、したがって高解像度である。高解像度の微細パターン形成プロセスに必要な均一で薄いレジスト膜を繊維上に調製するための新規なスプレーコーティングシステムが開発されている。直径125μmの光ファイバのスプレーデポジションプロセスが系統的に調査されています。繊維上のスプレーコーティング堆積プロセスは主に衝突領域からなるので、レジスト溶液の粘度および揮発性は複雑な効果を有す...
TeドープGaSb単結晶は、ホール効果、赤外線（IR）透過およびフォトルミネッセンス（PL）スペクトルを測定することによって研究されている。 Teのドーピング濃度と電気的補償の臨界制御により、IR透過率のn型GaSbを60％もの高さで得ることができることが分かった。天然のアクセプタ関連欠陥の濃度は、明らかに、Teドープされた GaSb ドーピングされていない、多量のTeドープされたGaSbのものと比較して、高IR透過率のメカニズムは、欠陥を伴う光吸収プロセスを考慮することによって分析される。 出典：IOPscience 窒化ケイ素結晶構造のような当社の製品についての詳細は、 フロートゾーンウェーハ 、 炭化ケイ素ウエハー 当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer...
本論文では、完全結合三次元電気熱デバイスシミュレータを用いて、高電流動作時の平面劣化 G a N系発光ダイオード （LED）。特に、より厚い導電性GaN基板を用いた効率低下の改善が実証されている。第1に、薄い導電性GaN基板内の局所ジュール加熱は、内部量子効率（IQE）を低下させ、直列抵抗を増加させることが分かった。 次に、より厚い導電性GaN基板および基板内の電流密度および温度のシミュレートされた分布を導入した。その内部の最大電流密度は、 GaN基板 100μmの厚さの基板では、5μmの厚さの基板に比べて約6倍減少する。したがって、最大接合部温度が低下し、IQEおよび駆動電圧が向上します。本研究では、厚いGaN基板が高電流動作で平面LEDの特性を改善するのに有効であることを証明している。 出典：IOPscience もっと詳しく GaN系LEDエピタキシャルウエハ 、 中国ガリウム窒化物...
連絡先
+86-592-5601 404