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5-2-1-2電気特性

5.炭化ケイ素技術

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5-2-1-2電気特性

2018-01-08

Si結晶格子内のSi原子とC原子の配置が異なるため、各ポリタイプ

固有の基本的な電気的および光学的特性を示す。より重要な半導体のいくつか

3c、4hおよび6hポリポリタイプの電気的特性を表5.1に示す。はるかに

詳細な電気的特性は参考文献11〜13およびその中の参考文献に見出すことができる。 〜の中でさえ

ポリタイプが与えられると、いくつかの重要な電気的特性は非等方性であり、それらは強力な機能である

電流の結晶学的方向および印加された電場（例えば、電子移動度

6時間の間）。 sic中のドーパント不純物は、エネルギー的に不等な部位に取り込むことができる。すべて

様々なドーパント組み込みサイトに関連するドーパントイオン化エネルギーは、通常、

表5.1には各イオンの最も浅く報告されたイオン化エネルギーのみが記載されています

不純物。





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