2020-03-17
2020-03-09
cvdエピタキシャル成長中の現場でのドーピングは、主にp型エピ層のためのn型およびアルミニウム（通常はトリメチルまたはトリエチルアルミニウム）のための窒素（通常）の導入によって達成される。リンおよびホウ素のようないくつかの別のドーパントもまた、それぞれn型およびp型エピ層に関して研究されている。エピタキシャルドーピングのいくつかの変動は、ドーパントガスの流れを厳密に変えることによって厳密に行うことができるが、サイト競合ドーピング法は、より広い範囲のシードドーピングを達成することを可能にしている。さらに、サイトの競争は、中等度のエピ層ドーピングをより信頼性と再現性のあるものにしている。部位競合ドーパント制御技術は、多くのドーパントが優先的にsi格子部位またはc格子部位のいずれかに取り込まれるという事実に基づいている。一例として、窒素は、炭素原子が通常占有する格子サイトに優先的に取り込まれる。炭素リッチ条件下でエピタキシャル成長させることにより、cvd系中に存在する窒素の大部分（残留汚染物質であろうと意図的に導入されたものであろうと）は、成長中の結晶中に取り込まれることから除外することができる。逆に、炭素欠乏環境で成長させることにより、窒素の取り込みを強化して、オーミック接触のための非常に高濃度にドープされたエピ層を形成することができる。窒素とは反対のアルミニウムはSiのサイトを優先し、結晶成長中のSi / C比を適切に変化させることによってサイト競争によって他のドーパントも制御されている。 sicエピ層ドーピングは、9× 
〜1倍 
研究者らは、n型およびp型ドーピングのために、この範囲よりも大きく10以下のドーピングを得ることを報告している。エピタキシャル成長中のドーピング組み込みの効率にも影響する。この文書の執筆時点で、消費者が自分のデバイス用途のニーズを満たすために指定し購入することが可能なエピ層は、それぞれ±25％および±50％の厚さおよびドーピング公差を有する。しかし、大量のデバイス製造に使用されるいくつかのエピタキシャル層は、ドーピングおよび厚さが\u003c5％変化する、はるかに最適化されている。
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