2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway（pam-xiamen）は、780nmのAlgainp / Gaaレーザー構造ウェーハを提供する化合物半導体エピタキシャルウェーハの開発および製造をリードしています。
|
層 |
材料 |
バツ |
y歪み耐性 |
pl |
厚さ |
タイプ |
レベル |
|
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＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
（ppm） |
（nm） |
（um） |
＆emsp; |
（cm -3） |
|
8 |
ガウス |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
0.1 |
p |
＆gt; 2.00e19 |
|
7 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.05 |
p |
＆emsp; |
|
6 |
[（y）pの中の[al（x）ga] |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
＆emsp; |
1 |
p |
＆emsp; |
|
5 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.5 |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
4 |
ガース（x）p |
0.77 |
＆emsp; |
＆emsp; |
770 |
＆emsp; |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
3 |
ゲイン（x）p |
0.49 |
＆emsp; |
+/- 500 |
＆emsp; |
0.5 |
ユー/ d |
＆emsp; |
|
2 |
[（y）pの中の[al（x）ga] |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
＆emsp; |
1 |
n |
＆emsp; |
|
1 |
ガウス |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
0.5 |
n |
＆emsp; |
|
|
ガウス基板 |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
＆emsp; |
n |
＆emsp; |
ソース：semiconductorwafers.net
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、
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