2020-03-17
2020-03-09
algainpは、高輝度の赤色、オレンジ色、緑色、および黄色の発光ダイオードの製造に用いられ、ヘテロ構造発光光を形成する。ダイオードレーザーの製造にも使用されています。
Algainp層は、量子井戸構造を形成するために、ヒ化ガリウムまたはリン化ガリウム上のヘテロエピタキシーによって成長されることが多い。
チップ上のalgainpウェーハのスペック
チップのためのalgainpの導かれたウェーハ
アイテム番号：pam-cayg1101
寸法：
成長技術 - mocvd
基板材料：ヒ化ガリウム
基板導通：n型
直径：2 \"
●チップ寸法：
1）チップサイズ：正面サイズ：8mil（±1mil）×8mil（±1mil）
裏面：9mil（±1mil）×9mil（±1mil）
2）チップ厚：7mil（±1mil）
3）パッドサイズ：4mil（±0.5mil）
4）構造：1-1を参照
●光電特性
|
パラメータ |
調子 |
分。 |
typ。 |
max。 |
単位 |
|
順方向電圧 （ vf1 ） |
if =10μa |
1.35 |
﹎ |
﹎ |
v |
|
順方向電圧 （ vf2 ） |
if = 20ma |
﹎ |
﹎ |
2.2 |
v |
|
逆電圧 （ lr ） |
vr = 10v |
﹎ |
﹎ |
2 |
μa |
|
支配的 波長 （ λ d） |
if = 20ma |
565 |
﹎ |
575 |
nm |
|
fwhm （ Δλ ） |
if = 20ma |
﹎ |
10 |
﹎ |
nm |
●光度：
|
コード |
lc |
ld |
ル |
lf |
lg |
1時間 |
リ |
|
iv（mcd） |
20-30 |
25-35 |
30-35 |
35-50 |
40-60 |
50-70 |
60-80 |
ガウス基板上の歪みアルゲインのバンドギャップ
このチュートリアルでは、ガウス基板上の歪んだalxgayin1-x-ypのバンドギャップを調べたいと思っています。
材料パラメータは
iii-v化合物半導体およびその合金のバンドパラメータ
私。 vurgaftman、j.r.マイヤー、1世。ラムモハン
j。 appl。 phys。 89（11）、5815（2001）
この4元系の個々の成分に対するバンドギャップに対する歪みの影響を理解するために、まず、
|
1）alp |
緊張した 引張りの |
に関して ガウス |
|
2）ギャップ |
緊張した 引張りの |
に関して ガウス |
|
3）inp |
緊張した 圧縮的に |
に関して ガウス |
|
4）al バツ ガ 1-x p |
緊張した 引張りの |
に関して ガウス |
|
5）ガ バツ に 1-x p |
緊張した |
に関して ガウス |
|
6）al バツ に 1-x p |
緊張した |
に関して ガウス |
|
7）al 0.4 ガ 0.6 p |
緊張した 引張りの |
に関して ガウス |
|
8）ガ 0.4 に 0.6 p |
緊張した 圧縮的に |
に関して ガウス |
|
9）al 0.4 に 0.6 p |
緊張した 圧縮的に |
に関して ガウス |
各材料層は、シミュレーションにおいて10nmの長さを有する。
材料層4）、5）および6）は、その合金含有量を直線的に変化させる：
|
4）al バツ ガ 1-x p x = 0.0からx = 1.0まで10nmから20nm |
|
5）ガ バツ に 1-x p x = 0.0からx = 1.0までの30nmから40nm |
|
6）al バツ に 1-x p x = 1.0からx = 0.0まで50nmから60nm |
アルゲインの屈折率
出典：pam-xiamen
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