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ギャーンテンプレート
pam-xiamenのテンプレート製品は、サファイア基板上に堆積された窒化ガリウム(gan)、窒化アルミニウム(aln)、窒化アルミニウムガリウム(algan)および窒化インジウムガリウム(ingan) シリコンカーバイドまたはシリコン・パーム・シャイアのテンプレート製品は、コスト、歩留まり、および性能においてデバイスを改善することができる、より良好な構造品質およびより高い熱伝導率を有する20〜50%短いエピタキシサイクル時間およびより高品質のエピタキシャルデバイス層を可能にする。 -
ガン・ヘムエピタキシャル・ウェーハ
窒化ガリウム(GaN)半田(高電子移動度トランジスタ)は、次世代のRFパワートランジスタ技術であり、ガン技術には感謝している。パム - シャーマンはサファイアまたはシリコン上にalgan / gan hemtエピウェハを、サファイアテンプレート上にはalgan / 。