2020-03-17
2020-03-09
rfおよびマイクロ波応用のための高アイソレーションおよび低電圧動作を備えたダブル作動RFマイクロ電気機械システム（mems）スイッチが提示されている。提案された二重作動垂直rf memsスイッチ構造の動作電圧は、作動を低下させることなく低減された ギャップ 。理論的には、提案された構造の動作電圧は、同じ製造方法、電極面積および等しい接触ギャップを有する単一作動垂直rf memsスイッチの動作電圧よりも約29％低い。
提案されたrf memsスイッチは、石英ウェーハ上に7枚のフォトマスクを用いた表面マイクロマシニングによって作製された。平坦化および階段状構造を得るために、ポリイミド犠牲層を2段階でスピンコートし、硬化し、エッチングし、二重作動機構を規定するドライエッチング工程によってパターン化した。作製されたrf memsスイッチの測定結果は、挿入損失が20V onの状態で0.11dbより低く、分離が39.1dbより高く、リターンロスが20vに対して32.1dbより良好であることを示しているDCから6GHzへのオン状態。作製されたrf memsスイッチの最小引き込み電圧は10vであった。
ソース：iopscience
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