グラファイトキャッピング層が評価されて、注入後アニール中にパターン化され選択的に注入された4hエピタキシャルウェハの表面を保護する。 a-z-5214eフォトレジストを750〜850℃の範囲の温度で真空中でスピン焼成し、高さ2μmまでのフィーチャを有する平面およびメサエッチングされた表面の両方に連続コーティングを形成した。水素化ポリマー様フィルムのナノ結晶性グラファイト層への完全な変換をラマン分光法によって確認した。グラファイトキャッピング層は損傷しておらず、その後のアルゴン雰囲気中での1650℃までの30分間のアニーリングの間に、平面およびメサエッチングされた表面の両方を保護した。注入領域のステップバンチングとドーパントアウトディフュージョンを効果的に抑制し、同時に4hエピタキシャルウェハの未注入表面に汚染がないことを確実にした。注入されていないアニールされた表面上に形成されたショットキ...
高性能な炭化ケイ素（ SiC ）パワーデバイスでは、p型SiCに対する低抵抗オーミックコンタクトを開発する必要があります。オーミック接触抵抗を減少させるためには、金属/ SiC界面における障壁高さの減少またはSiC基板におけるドーピング濃度の増加が必要である。障壁高さの低減は極めて困難であるため、Alドーピング濃度の増加は 4H-SiC イオン打ち込み技術によって打ち負かされた。 Ti / AlおよびNi / Ti / Al金属（スラッシュ「/」記号は堆積シーケンスを示す）をAlイオン注入SiC基板上に堆積させた。実験的および理論的接触抵抗を比較することにより、金属/ SiC界面を通る電流輸送メカニズムは熱イオン電界放出であると結論づけられ、障壁高さは約0.4eVと決定された。 4H-SiCのAlドーピング濃度を増加させると正孔濃度が増加するが、透過型電子顕微鏡で注入されたSiC層に観察さ...
連絡先
+86-592-5601 404