ダイレクト・ダイオード・レーザは、 レーザ。 それらは非常に効率的で、コンパクトで、波長が多用途で、低コストであり、信頼性が高い。しかしながら、直接ダイオードレーザの完全な利用は未だ実現されていない。質の悪さ ダイオードレーザ 直接的にその応用範囲に影響を与える、ダイオードレーザスタックのより良い使用のためには、ダイオードレーザビーム特性の正確な理解を必要とする光学系の適切な補正が必要である。 より少ない電力で細かいビードを作るのに適した長方形のビームパターンのために、実用的なアプリケーションを確立することを可能にする。そのため、使用済み機械のリサイクルとコスト削減に貢献しなければならない破損した機械部品に対して、ダイオードレーザクラッディングが新しい修理分野を開拓します。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： www.semiconductor...
室温で低磁場下で大きな磁気抵抗効果（mr）を得ることは、半導体ベースのデバイスにとって依然として大きな課題である。この論文では、室温での異なる照射強度下での光誘起mr効果を、 半絶縁ガリウム砒素 （ si-gaas ）ベースのag / si-gaas / agデバイス。装置は、約395nm-405nmの範囲の波長を有する発光ダイオード（led）ランプビーズによって供給される光の照射を受け、各LEDランプビードの作動力は約33mwである。 光誘起mrは磁場（b）1tまで飽和せず、低磁場（b = 0.001t）のmr感度s（s = mr / b）は15t-1に達することができる。光誘起電子と正孔の再結合は陽性の光誘起mr効果をもたらすことが見出されている。このことは、真性キャリア濃度が非常に低い非磁性半導体デバイスにおいて、低磁場下で光誘起された高い光誘起が得られることを意味する。 ソース：i...
inasセグメントは、シリコン基板上に液滴エピタキシによって最初に形成されたガーランド島の上で成長した。我々は、inas堆積のための成長パラメータ空間を系統的に探究し、選択成長の条件を同定した ガウス 純粋に軸方向の成長のために。軸方向のinasセグメントは、下側のガウスベースの島と比較して、その側壁を30°回転させて形成した。シンクロトロンX線回折実験により、 inas セグメントは、ガーネットの上で緩やかに成長し、主に閃亜鉛鉱型の結晶構造および積層欠陥を有する。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com...
連絡先
+86-592-5601 404