均質材料の場合、ほとんどニュートンのアルゴリズムに基づいた数値最適化プロセスに関連する超音波浸漬法は、様々な合成および天然複合材料の弾性定数の決定を可能にします。それにもかかわらず、考慮されている材料が同次仮説の限界にあるとき、既存の最適化手順の主な制限が生じる。これは、織物双方向ＳｉＣマトリックスの場合である。 SiC繊維 複合材料。 本研究では、2次元SiCの弾性定数を決定するための2つの数値解析法を開発した。 SiC複合材料 （２Ｄ ＳｉＣ ／ ＳｉＣ）。最初のものはニュートンのアルゴリズムに基づいています：弾性定数は実験と計算された速度の間の平方偏差を最小にすることによって得られます。 2番目の方法は、Levenberg-Marquardtアルゴリズムに基づいています。我々は、これらのアルゴリズムが均質異方性複合材料の場合に同じ結果を与えることを示す。 ２Ｄ ＳｉＣ ／ ＳｉＣ複合...
高い成長速度と大面積の均一性を同時に達成することを可能にする垂直ホットウォールエピリアクタが開発された。 250μm/ hの最大成長速度は、1650℃で鏡のような形態で達成されます。修正下 エピリアクター ７９μｍ ／ ｈの高い成長速度を維持しながら、半径６５ｍｍの領域に対して１．１％の厚さ均一性および６．７％のドーピング均一性が達成される。半径５０ｍｍの領域に対して、約１×１０１３ｃｍ − ３の低いドーピング濃度が得られる。低温フォトルミネッセンス（LTPL）スペクトルは、不純物に関連するピークがほとんどなく、L1ピークが検出限界以下の自由励起子ピークが優勢であることを示しています。 ８０μｍ ／ ｈで成長したエピ層の深準位過渡分光法（ＤＬＴＳ）測定は、低いトラップ濃度Ｚ １／２：１．２×１０ １２およびＥ Ｈ ６／７：６．３×１０ １１ ｃｍ －３を示す。 A 厚さ280 µmのエピ層...
Si 上のエピタキシャル SiC 膜の成長における最近の進歩を概説します。SiC 膜の成長に現在使用されている基本的な古典的な方法について説明し、その長所と短所を調べます。エピタキシャルSiC膜の新合成法の基本的な考え方と理論的背景Si上で与えられます。新しい方法は、基板表面への原子の蒸発を利用する従来の薄膜成長技術とは大きく異なることが示されます。新しい方法は、炭化ケイ素の分子を形成する炭素原子によるシリコン マトリックスのいくつかの原子の置換に基づいています。次の SiC 核生成プロセスは、シリコン マトリックスの結晶構造を破壊することなく徐々に発生し、成長した膜の配向は、シリコン マトリックスの元の結晶構造によって決定されることが示されます。フィルム成長の従来の方法）。新しい方法と他のエピタキシー技術との比較が示されます。 原子の置換と膨張双極子の作成に基づく固相エピタキシーの新しい...
連絡先
+86-592-5601 404