pam-xiamenは、高品質のガリウムアンチモン（ガス）単結晶インゴットを成長させます。

我々はまた、ラウンド、切断、ラップと研磨ガスウェーハを見てepiレディ表面品質を供給することができます。

ガスバブ結晶は、6n純粋なgaおよびsb元素によって形成された化合物であり、epd＆lt; 0の液体封入チョクラルスキー（lec） 1000cm -3。ガスベブ結晶は、mbeまたはmocvdエピタキシャル成長に適した、電気的パラメータの高い均一性および低い欠陥密度を有する。

厳密またはオフの配向、低または高ドープ濃度および良好な表面仕上げで幅広い選択肢を有する「エピ準備完了」ガス製品があります。製品の詳細についてはお問い合わせください。

1）2 \"、3\"ガスボンベ

配向：（100）±0.5°

厚さ（μm）：500±25; 600±25

タイプ/ドーパント：p / undoped; p / si; p / zn

nc（cm-3）:( 1〜2）e17

移動度（cm 2 / v・s）：600〜700

成長法：cz

ポリッシュ：ssp

2）2 \"ガスブウェハ

配向：（100）±0.5°

厚さ（μm）：500±25; 600±25

タイプ/ドーパント：n /アンドープ; p / te

nc（cm-3）:( 1~5）e17

移動度（cm 2 / vs）：2500〜3500

成長方法：lec

ポリッシュ：ssp

3）2 \"ガスブウェハ

配向：（111）a±0.5°

厚さ（μm）：500±25

タイプ/ドーパント：n / te; p / zn

nc（cm-3）:( 1~5）e17

移動度（cm 2 / vs）：2500~3500; 200~500

成長方法：lec

ポリッシュ：ssp

4）2 \"ガスボンベ

配向：（111）b±0.5°

厚さ（μm）：500±25; 450±25

タイプ/ドーパント：n / te; p / zn

nc（cm-3）:( 1~5）e17

移動度（cm 2 / vs）：2500~3500; 200~500

成長方法：lec

ポリッシュ：ssp

5）2 \"ガスボンベ

配向：（111）b 2deg.off

厚さ（μm）：500±25

タイプ/ドーパント：n / te; p / zn

nc（cm-3）:( 1~5）e17

移動度（cm 2 / vs）：2500~3500; 200~500

成長方法：lec

ポリッシュ：ssp

相対的な製品：

inasウェハ

インベストウェーハ

inpウェハ

ガウスウェーハ

ガスウエハー

ギャップウェーハ

gasb材料は、単一接合型熱光発電（tpv）デバイスにとって興味深い特性を示す。 czochralski（cz）法またはmodified czo- chralski（mo-cz）法で成長させたgasb：te単結晶を提示し、te均質性の問題について論じた。キャリアの移動度がバルク結晶のキーポイントの1つであるので、ホール測定が行われる。バルク結晶の成長、ウェーハの準備、ウェーハのエッチングなど、材料処理の観点からいくつかの相補的な開発をここに示します。これらの後の後続のステップは、p / no r n / p接合の精緻化に関連する。様々な薄層の精緻化手法について得られたいくつかの結果が提示される。単純な気相拡散法または液相エピタキシー法から金属有機化学気相成長法まで、我々はいくつかの物質特異性を報告する。 doi：10.1115 / 1.2734570

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、

私達に電子メールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.com 。