微結晶で構成されたデバイスにおける微小放電の発生を報告するダイヤモンド。微小中空陰極放電形状を有するデバイス構造において放電が生成された。一方の構造は、両側にホウ素ドープダイヤモンド層で被覆された絶縁性ダイヤモンドウェハからなっていた。第2の構造体は、両面に金属層で被覆された絶縁性ダイヤモンドウェハからなる。いずれの場合も、単一のサブミリメートルの穴が導体 - 絶縁体 - 導体構造を通して機械加工された。放電はヘリウム雰囲気中で発生した。破壊電圧は約500Vであり、0.1〜2.5mAの範囲の放電電流は300Vの維持直流電圧によって維持された。
ソース：iopscience
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