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本論文では、完全結合した3次元電気熱デバイスシミュレータを用いて、平面GaN系発光における高電流動作時の効率劣化のメカニズムを検討する

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本論文では、完全結合した3次元電気熱デバイスシミュレータを用いて、平面GaN系発光における高電流動作時の効率劣化のメカニズムを検討する

2018-12-18

X線トポグラフィおよび化学エッチング検査 Si:Ge単結晶 1.2原子%および3.0原子%のGeを含有し、精密な格子パラメータ測定値と共に実施した。投影トポグラフでは、おそらくGe原子の不均一な分布による同心円の「準円」(縞模様)の形の回折コントラストが観察された。


エッチングパターンは、エッチングピットとしてのストリエーションおよび転位に対応するバンドを明らかにした。中央の「コア」結晶領域(ストリエーションフリー)は、断面形状分析から結論したように、微小欠陥によって強く乱された結晶格子を示した。格子パラメータ測定は、分布の不均一性を示している Ge原子 サンプル全体で


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