最近の10年間で、青色、紫色および紫外光エレクトロニクスにおけるそれらの適用のために、iii-n化合物が大きな関心を集めている。デバイスおよび研究のほとんどは、窒化物のエピタキシーのための基板としてサファイアを使用する。しかしながら、これらのエピ構造は、16％の格子不整合によって誘導される非常に高い転位密度を含む ガン サファイア。私たちの研究室では、10 kbarの高い静水圧でガンの単結晶を成長させます。これらの結晶は極めて低い転位密度を有し、青紫色レーザダイオードの構築に成功している。この作品は、高分解能X線回折測定法とフォトルミネッセンスの実験データを提示しています。この作品は3つの部分から構成されています：（1）ガン基板とガン/サファイアテンプレートの比較。 （ii）の影響 アルガン サンプルのボーイング時の層; （iii）インガン/ガン多重量子井戸の微細構造 。
soource：iopscience
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。 ： http://www.semiconductorwafers.net 、
私達に電子メールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.com
連絡先
+86-592-5601 404