TeドープGaSb単結晶は、ホール効果、赤外線（IR）透過およびフォトルミネッセンス（PL）スペクトルを測定することによって研究されている。 Teのドーピング濃度と電気的補償の臨界制御により、IR透過率のn型GaSbを60％もの高さで得ることができることが分かった。天然のアクセプタ関連欠陥の濃度は、明らかに、Teドープされた GaSb ドーピングされていない、多量のTeドープされたGaSbのものと比較して、高IR透過率のメカニズムは、欠陥を伴う光吸収プロセスを考慮することによって分析される。
出典：IOPscience
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