我々は、欠陥のない閃亜鉛鉱インブナノワイヤのau支援化学ビームエピタキシ成長を報告する。成長した インブ セグメントは、inas（111）b基板上のInAs / Inbヘテロ構造の上部セクションである。我々は、時間分解分析を用いて、閃亜鉛鉱insbが、積層欠陥または双晶面のような結晶欠陥なしに成長できることを示す。 歪みマップ解析は、界面から数ナノメータ以内でinsbセグメントがほぼ緩和されていることを示している。成長後の研究により、触媒粒子組成がauin2であり、tdmasbフラックス下で試料を冷却することによって、auin合金に変化させることができることを見出した。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.co...
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