厦門パワーウェイアドバンスドマテリアル共同、レーザーダイオードエピタキシャル構造のリーディングサプライヤーなど関連製品およびサービスは、サイズ3 \" 2017年に大量生産されています。この新製品は天然に加えて パム・シャーマン の製品ライン。

ドクター。シャカは、 \"我々は多くのお客様を含む当社の顧客にレーザーダイオードエピタキシャル構造を提供するdpssレーザーのためのより良い、より信頼性の高い開発。私たちのレーザーダイオードエピタキシャル構造は優れた特性を有し、低吸収率のための調整されたドーピングプロファイル損失と高出力シングルモード動作、100％内部量子効率、高性能のための特別な広帯域導波路（bwg）設計効果的なファイバ結合のための低出力発散および/または低出力発散を可能にする。可用性がブールの成長とウェーハプロセスを改善します」\"顧客は期待されるデバイス歩留まりの恩恵を受けることができます正方形の基板上に進んだトランジスタを開発するとき私たちのレーザーダイオードエピタキシャル構造は、現在進行中の努力の成果であり、現在、私たちはより信頼性の高い製品を継続的に開発することに専念しています。

パム・シャーマン レーザーの改良ダイオードエピタキシャル構造の製品ラインは、強力な技術、サポートネイティブの大学や研究所のセンターから。

今、例を以下に示します。

808nm

905nm

厦門についてパワーウェイアドバンスドマテリアル株式会社、株式会社

1990年に発見され、material co。、ltd（pam-xiamen）はコンパウンドの大手メーカーです中国の半導体材料。パーム・シャイアメンは高度な結晶成長を起こすおよびエピタキシー技術、製造プロセス、設計された基板および半導体デバイス。 pam-xiamenの技術はより高いパフォーマンスと半導体ウェーハの低コスト製造。

レーザーダイオードについてエピタキシャル構造

レーザダイオードエピタキシャル構造は、結晶成長技術の1つを使用して、通常はniドープされた活性層を成長させ、続いてpドープされたクラッドと、コンタクト層とを含む。活性層は、多くの場合、量子これはより低い閾値電流とより高い効率を提供する。

q＆a

c：ありがとうあなたのメッセージと情報。

それは非常に私たちのために面白い。

レーザーダイオード3808nmの場合の10インチのエピタキシャル構造。

あなたは私たちを送ることができます層の厚さと808nmのドーピング情報。

仕様：

1.一般的な3 \"レーザー808nm発光用エピタキシャル構造

i.gaas量子ウェル波長：799±5nm

私たちはピークが必要です発光pl：794 +/- 3 nm、あなたはそれを製造することができますか？

ii.pl波長均一性：≦5nm

iii。欠陥密度：\u003c50cm -2

iv。ドーピングレベル均一性：≦20％

v。ドーピングレベル公差：≦30％

vi。モル分率（x）公差：+/- 0.03

vii.エピ層厚さ均一性：≦6％

viii.厚さ公差：+/- 10％

ix.n +ガース基板

xstrateepd＆lt; 1e3cm -2

xistrateキャリアc：0.5~4.0xe18cm-2

xii.majorフラットオリエンテーション：（01-1）±0.05°

私たちもあなたが必要です980および1550nmのエピウエハの提案ウェブサイト）ingaasp / ingaas inp基板

我々が提供しますina基板上のインナエース/インナエースを以下のようにして製造した。

1.構造：レーザー1.55um入射

あなたは、あなたの標準的なパイウェーハ用に製造されたLDのldパラメータについても？

pの出力は何ですか？発光面積幅= 90-100umの単一エミッタを有するcwのldの電力、

例えば、または発光面積の幅が10mmのldバーのpout？

楽しみにしている上記の質問へのあなたの速い返答のために。

p：下記を参照お願いします：

808nm

905nm

c：私たちはレーザー波長808nmのエピウェハに興味がある。

親切にお送りください評価目的と調整のための評価サンプル

の我々のアプリケーションはdpssレーザーであり、我々は

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多くのための情報は、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、

送ってEメール angel.ye@powerwaywafer.comで または powerwaymaterial@gmail.com