高性能な炭化ケイ素（ SiC ）パワーデバイスでは、p型SiCに対する低抵抗オーミックコンタクトを開発する必要があります。オーミック接触抵抗を減少させるためには、金属/ SiC界面における障壁高さの減少またはSiC基板におけるドーピング濃度の増加が必要である。障壁高さの低減は極めて困難であるため、Alドーピング濃度の増加は 4H-SiC イオン打ち込み技術によって打ち負かされた。 Ti / AlおよびNi / Ti / Al金属（スラッシュ「/」記号は堆積シーケンスを示す）をAlイオン注入SiC基板上に堆積させた。実験的および理論的接触抵抗を比較することにより、金属/ SiC界面を通る電流輸送メカニズムは熱イオン電界放出であると結論づけられ、障壁高さは約0.4eVと決定された。 4H-SiCのAlドーピング濃度を増加させると正孔濃度が増加するが、透過型電子顕微鏡で注入されたSiC層に観察さ...
本論文では、完全結合三次元電気熱デバイスシミュレータを用いて、高電流動作時の平面劣化 G a N系発光ダイオード （LED）。特に、より厚い導電性GaN基板を用いた効率低下の改善が実証されている。第1に、薄い導電性GaN基板内の局所ジュール加熱は、内部量子効率（IQE）を低下させ、直列抵抗を増加させることが分かった。 次に、より厚い導電性GaN基板および基板内の電流密度および温度のシミュレートされた分布を導入した。その内部の最大電流密度は、 GaN基板 100μmの厚さの基板では、5μmの厚さの基板に比べて約6倍減少する。したがって、最大接合部温度が低下し、IQEおよび駆動電圧が向上します。本研究では、厚いGaN基板が高電流動作で平面LEDの特性を改善するのに有効であることを証明している。 出典：IOPscience もっと詳しく GaN系LEDエピタキシャルウエハ 、 中国ガリウム窒化物...
我々は、ウエハに埋め込まれた温度センサの熱応答時間を決定するための非接触法を提示する。この方法では、フラッシュランプがウェハ上のスポットを周期的なパルスで照射する。スポットは、テスト中のセンサーと反対側にあります。次いで、センサの熱時定数は、その時間的応答の測定から、熱の理論的モデルと共にセンサ内へおよびウエハ内での横方向の両方で得られる。白金抵抗温度計（PRT）とその中に埋め込まれた熱電対の両方に関する実験データ シリコン ウェーハ 熱伝達モデルとの良好な一致を示す。 広範囲の実験パラメータに対する熱応答時間の値は、8％（PRT）と20％（熱電対）の標準偏差内で一致しており、我々の結果の自己矛盾がないことを示しています。この方法は、計装化シリコンウェハに使用されるセンサの熱的性質を決定するために直接適用可能である。我々は、この方法が新しいセンサ取り付け方法の開発、製造中のセンサの適切な取...
n型およびp型シリコンウェーハの空間分解ドーパント濃度[2.2] N dおよび電気抵抗率ρの非接触非破壊イメージング法さまざまなレーザー照射強度でのロックインキャリアグラフィー画像の使用が提示されています。既知の抵抗率を持つウェーハ サイトからの振幅および位相情報を使用して、絶対キャリア生成率を正確に決定するための較正係数を導き出しました。光キャリア放射信号の非線形性に基づく周波数領域モデルを使用して、ドーパント密度画像を抽出しました。この方法によって得られた n 型および p 型ウェーハの抵抗率の横方向の変化は、従来の 4 点プローブ測定で得られたものとよく一致することがわかりました。この完全に光学的な非接触法は、ドーピング密度と電気抵抗率の測定、および大きな半導体領域にわたるそれらの画像のための非破壊ツールとして使用できます。Nd、 出典:IOPサイエンス 詳細については、当社のウェブ...
Si 上のエピタキシャル SiC 膜の成長における最近の進歩を概説します。SiC 膜の成長に現在使用されている基本的な古典的な方法について説明し、その長所と短所を調べます。エピタキシャルSiC膜の新合成法の基本的な考え方と理論的背景Si上で与えられます。新しい方法は、基板表面への原子の蒸発を利用する従来の薄膜成長技術とは大きく異なることが示されます。新しい方法は、炭化ケイ素の分子を形成する炭素原子によるシリコン マトリックスのいくつかの原子の置換に基づいています。次の SiC 核生成プロセスは、シリコン マトリックスの結晶構造を破壊することなく徐々に発生し、成長した膜の配向は、シリコン マトリックスの元の結晶構造によって決定されることが示されます。フィルム成長の従来の方法）。新しい方法と他のエピタキシー技術との比較が示されます。 原子の置換と膨張双極子の作成に基づく固相エピタキシーの新しい...
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